Invention Publication
CN109217262A 一种大功率开关放大器中MOS管驱动欠压保护电路
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种大功率开关放大器中MOS管驱动欠压保护电路
- Patent Title (English): An undervoltage protection circuit driven by a MOS transistor in a high-power switch amplifier
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Application No.: CN201811230014.7Application Date: 2018-10-22
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Publication No.: CN109217262APublication Date: 2019-01-15
- Inventor: 刘家庆 , 鲍斌 , 孙正伟 , 王开白 , 阴宏民 , 吴志琪 , 范凯 , 陶宇超 , 宋建明
- Applicant: 国家电网公司东北分部 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
- Applicant Address: 辽宁省沈阳市浑南新区营盘北街1号
- Assignee: 国家电网公司东北分部,国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院,国家电网有限公司
- Current Assignee: 国家电网公司东北分部,国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院,国家电网有限公司
- Current Assignee Address: 辽宁省沈阳市浑南新区营盘北街1号
- Main IPC: H02H7/20
- IPC: H02H7/20

Abstract:
本发明涉及一种大功率开关放大器中MOS管驱动欠压保护电路,电路中供电电源V1一端接地,供电电源V1另一端接晶体管Q4的集电极,数字光电耦合器U1的1端口经电阻R10接电压表V2,电压表V2接数字光电耦合器U1的3端口,数字光电耦合器U1的5端口接晶体管Q4的集电极,同时数字光电耦合器U1的5端口经电阻R7接电阻R11,数字光电耦合器U1的4端口接晶体管Q6的基极,晶体管Q6的集电极接电阻R11,晶体管Q6的发射极接地,电阻R1接晶体管Q2的基极,同时电阻R1经电阻R2接二极管D1,本发明设计的一种大功率开关放大器中MOS管驱动欠压保护电路成本低、功耗低、可靠性高、安全可靠。
Public/Granted literature
- CN109217262B 一种大功率开关放大器中MOS管驱动欠压保护电路 Public/Granted day:2021-10-26
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