- 专利标题: 一种大功率开关放大器中MOS管驱动欠压保护电路
- 专利标题(英): An undervoltage protection circuit driven by a MOS transistor in a high-power switch amplifier
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申请号: CN201811230014.7申请日: 2018-10-22
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公开(公告)号: CN109217262A公开(公告)日: 2019-01-15
- 发明人: 刘家庆 , 鲍斌 , 孙正伟 , 王开白 , 阴宏民 , 吴志琪 , 范凯 , 陶宇超 , 宋建明
- 申请人: 国家电网公司东北分部 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市浑南新区营盘北街1号
- 专利权人: 国家电网公司东北分部,国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院,国家电网有限公司
- 当前专利权人: 国家电网公司东北分部,国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市浑南新区营盘北街1号
- 主分类号: H02H7/20
- IPC分类号: H02H7/20
摘要:
本发明涉及一种大功率开关放大器中MOS管驱动欠压保护电路,电路中供电电源V1一端接地,供电电源V1另一端接晶体管Q4的集电极,数字光电耦合器U1的1端口经电阻R10接电压表V2,电压表V2接数字光电耦合器U1的3端口,数字光电耦合器U1的5端口接晶体管Q4的集电极,同时数字光电耦合器U1的5端口经电阻R7接电阻R11,数字光电耦合器U1的4端口接晶体管Q6的基极,晶体管Q6的集电极接电阻R11,晶体管Q6的发射极接地,电阻R1接晶体管Q2的基极,同时电阻R1经电阻R2接二极管D1,本发明设计的一种大功率开关放大器中MOS管驱动欠压保护电路成本低、功耗低、可靠性高、安全可靠。
公开/授权文献
- CN109217262B 一种大功率开关放大器中MOS管驱动欠压保护电路 公开/授权日:2021-10-26