利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明公开
CN109243659A 一种基于碳化硅材料的微型核电池及其制备方法 有权

  • 专利标题： 一种基于碳化硅材料的微型核电池及其制备方法
  • 专利标题（英）： Miniature nuclear battery based on silicon carbide material and preparation method thereof
  • 申请号： CN201811167005.8
    申请日： 2018-10-08
  • 公开(公告)号： CN109243659A
    公开(公告)日： 2019-01-18
  • 发明人: 刘红梅 , 尉国栋
  • 申请人： 山西大同大学
  • 申请人地址： 山西省大同市御河桥东水泊寺乡水泊寺村1602号
  • 专利权人： 山西大同大学
  • 当前专利权人： 山西大同大学
  • 当前专利权人地址： 山西省大同市御河桥东水泊寺乡水泊寺村1602号
  • 代理机构： 苏州智品专利代理事务所
  • 代理商 王利斌
  • 主分类号： G21H1/06
  • IPC分类号： G21H1/06
一种基于碳化硅材料的微型核电池及其制备方法
摘要：
本发明提供的一种基于碳化硅材料的微型核电池，包括：高掺杂碳化硅单晶衬底，所述高掺杂碳化硅单晶衬底的正面具有碳化硅一维纳米线阵列，所述碳化硅一维纳米线阵列具有PN结区域，所述碳化硅一维纳米线阵列的PN结区域上面具有第一欧姆接触电极，所述第一欧姆接触电极上具有放射源层，所述高掺杂碳化硅单晶衬底的背面具有第二欧姆接触电极；本发明提供的微型核电池结构新颖合理、能量转换效率较高、制备成本较低，适用于半导体微器件领域。
摘要（英）：

The invention provides a miniature nuclear battery based on silicon carbide material. The miniature nuclear battery comprises a highly doped silicon carbide single crystal substrate. The front surfaceof the highly doped silicon carbide single crystal substrate is provided with a silicon carbide one-dimensional nanowire array. The silicon carbide one-dimensional nanowire array is provided with a PN junction region. A first ohmic contact electrode is arranged on the PN junction region of the silicon carbide one-dimensional nanowire array. A radiation source layer is arranged on the first ohmiccontact electrode. A second ohmic contact electrode is arranged on the back surface of the highly doped silicon carbide single crystal substrate. The miniature nuclear battery has a novel and reasonable structure, high energy conversion efficiency and low preparation cost and is suitable for the field of semiconductor micro-devices.

公开/授权文献
0/0