公开(公告)号：CN109192350B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201811167006.2

申请日：2018-10-08

申请人： 山西大同大学

发明人： 刘红梅 ,  尉国栋

IPC分类号： G21H1/06

摘要： 本发明提供的一种基于碳化硅材料的肖特基微型核电池，包括：碳化硅单晶衬底、碳化硅一维纳米线阵列、肖特基接触电极、欧姆接触电极和放射源层；碳化硅一维纳米线阵列位于碳化硅单晶衬底的正面，碳化硅一维纳米线阵列具有N型掺杂区域；肖特基接触电极包括势垒金属层和N型掺杂区域，势垒金属层的表面形状为叉指状；欧姆接触电极位于碳化硅单晶衬底的背面；放射源层位于所述势垒金属层的上方；本发明提供的微型核电池结构新颖合理、能量转换效率较高、制备成本较低，适用于半导体微器件领域。

公开(公告)号：CN109243659B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201811167005.8

申请日：2018-10-08

申请人： 山西大同大学

发明人： 刘红梅 ,  尉国栋

IPC分类号： G21H1/06

摘要： 本发明提供的一种基于碳化硅材料的微型核电池，包括：高掺杂碳化硅单晶衬底，所述高掺杂碳化硅单晶衬底的正面具有碳化硅一维纳米线阵列，所述碳化硅一维纳米线阵列具有PN结区域，所述碳化硅一维纳米线阵列的PN结区域上面具有第一欧姆接触电极，所述第一欧姆接触电极上具有放射源层，所述高掺杂碳化硅单晶衬底的背面具有第二欧姆接触电极；本发明提供的微型核电池结构新颖合理、能量转换效率较高、制备成本较低，适用于半导体微器件领域。

公开(公告)号：CN109192350A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811167006.2

申请日：2018-10-08

申请人： 山西大同大学

发明人： 刘红梅 ,  尉国栋

IPC分类号： G21H1/06

摘要： 本发明提供的一种基于碳化硅材料的肖特基微型核电池，包括：碳化硅单晶衬底、碳化硅一维纳米线阵列、肖特基接触电极、欧姆接触电极和放射源层；碳化硅一维纳米线阵列位于碳化硅单晶衬底的正面，碳化硅一维纳米线阵列具有N型掺杂区域；肖特基接触电极包括势垒金属层和N型掺杂区域，势垒金属层的表面形状为叉指状；欧姆接触电极位于碳化硅单晶衬底的背面；放射源层位于所述势垒金属层的上方；本发明提供的微型核电池结构新颖合理、能量转换效率较高、制备成本较低，适用于半导体微器件领域。

公开(公告)号：CN107159296B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201710463457.X

申请日：2017-06-19

申请人： 山西大同大学

发明人： 刘红梅 ,  刘亚楠 ,  尉国栋

IPC分类号： B01J27/24

摘要： 本发明的一种氮掺杂锐钛矿相二氧化钛纳米球的制备方法属于无机材料制备技术领域。所述的制备方法有钛电极制备、充气、开启等离子体加热反应、收集产物等步骤。本发明具有制备工艺简单、制备时间短、制备环境友好、产量大和成本低等优点，制备的氮掺杂锐钛矿二氧化钛纳米球结构稳定性好，结晶性高，纯度高，尺寸分布范围窄且颗粒球形表面光滑，可实现对可见光的响应且稳定性好。

公开(公告)号：CN109243659A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811167005.8

申请日：2018-10-08

申请人： 山西大同大学

发明人： 刘红梅 ,  尉国栋

IPC分类号： G21H1/06

摘要： 本发明提供的一种基于碳化硅材料的微型核电池，包括：高掺杂碳化硅单晶衬底，所述高掺杂碳化硅单晶衬底的正面具有碳化硅一维纳米线阵列，所述碳化硅一维纳米线阵列具有PN结区域，所述碳化硅一维纳米线阵列的PN结区域上面具有第一欧姆接触电极，所述第一欧姆接触电极上具有放射源层，所述高掺杂碳化硅单晶衬底的背面具有第二欧姆接触电极；本发明提供的微型核电池结构新颖合理、能量转换效率较高、制备成本较低，适用于半导体微器件领域。

公开(公告)号：CN107159296A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710463457.X

申请日：2017-06-19

申请人： 山西大同大学

发明人： 刘红梅 ,  刘亚楠 ,  尉国栋

IPC分类号： B01J27/24

摘要： 本发明的一种氮掺杂锐钛矿相二氧化钛纳米球的制备方法属于无机材料制备技术领域。所述的制备方法有钛电极制备、充气、开启等离子体加热反应、收集产物等步骤。本发明具有制备工艺简单、制备时间短、制备环境友好、产量大和成本低等优点，制备的氮掺杂锐钛矿二氧化钛纳米球结构稳定性好，结晶性高，纯度高，尺寸分布范围窄且颗粒球形表面光滑，可实现对可见光的响应且稳定性好。