发明授权
- 专利标题： CMOS-TDI图像传感器及其形成方法
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申请号： CN201811287206.1申请日： 2018-10-31
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公开(公告)号： CN109273477B公开(公告)日： 2020-11-06
- 发明人: 王林 , 黄金德
- 申请人： 锐芯微电子股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市昆山开发区伟业路18号现代广场A座508-511室
- 专利权人： 锐芯微电子股份有限公司
- 当前专利权人： 锐芯微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市昆山开发区伟业路18号现代广场A座508-511室
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 徐文欣; 吴敏
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
一种CMOS‑TDI图像传感器及其形成方法，其中，CMOS‑TDI图像传感器包括：基底，所述基底包括若干个像素区；位于各个所述像素区基底内的若干个相互分立的第一掺杂区；位于各个像素区基底表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨若干个第一掺杂区。利用所述CMOS‑TDI图像传感器能够提高电荷传输效率，改善图像质量。
公开/授权文献
- CN109273477A CMOS-TDI图像传感器及其形成方法 公开/授权日：2019-01-25
IPC分类:
