图像传感器像素数据控制方法及装置、硅基OLED芯片

    公开(公告)号:CN118869900A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410841130.1

    申请日:2024-06-26

    发明人: 张琦 韩磊 刘美茹

    IPC分类号: H04N5/14 H01L25/16 G09G3/3208

    摘要: 本发明公开了一种图像传感器像素数据控制方法及装置、硅基OLED芯片,该方法包括:确定当前显示模式,显示模式包括:彩色模式、黑白模式的菜单模式、黑白模式的非菜单模式;根据当前显示模式控制前端解码后输入至R、G、B通道的动态输入量和静态输入量;根据通道的动态输入量生成动态输入数据,根据通道的静态输入量生成静态偏移数据;将通道的动态输入数据和静态偏移数据进行叠加,生成所述通道的待转换数据并输出。本发明方案在满足不同显示需求并保证显示效果的情况下,可以有效降低功耗。

    图像传感器及其读出方法、装置、计算机可读存储介质

    公开(公告)号:CN113938625B

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202111243581.8

    申请日:2021-10-25

    发明人: 张琦

    IPC分类号: H04N25/60 H04N25/78

    摘要: 一种图像传感器及其读出方法、装置、计算机可读存储介质。所述图像传感器包括像素阵列及读出电路阵列;所述读出电路阵列中一读出电路与所述像素阵列中的一列相耦接;所述像素阵列包括至少一行无感光像素行;采用以下方法读取当前帧像素输出:从n帧未消除读出电路RTS噪声的像素输出中,获取所述像素阵列中无感光像素行的读出信息,n≥1,且n为正整数;基于所述无感光像素行的读出信息,识别所述读出电路阵列中存在RTS噪声的列;基于识别结果,消除所述读出电路阵列中的RTS噪声,得到当前帧像素输出。采用上述方案,可以消除读出电路中的RTS噪声,提高图像质量。

    图像传感器的像素结构及其形成方法

    公开(公告)号:CN111933651B

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202010813845.8

    申请日:2020-08-13

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 一种图像传感器的像素结构及其形成方法,包括:提供衬底;在所述衬底内形成凹槽;在所述衬底内形成存储区,所述存储区内具有第一掺杂离子,所述存储区位于所述凹槽的侧壁和底部表面;在所述衬底上形成存储栅极结构,部分所述存储栅极结构位于所述存储区表面且位于所述凹槽内。在所述衬底内形成凹槽,在所述衬底上形成存储栅极结构,部分所述存储栅极结构位于所述存储区表面且位于所述凹槽内,使得存储栅极结构占用的像素面积减小,在后续的制程中,使得感光区的形成面积增大,进而提高了像素的填充因子,同时也提高了图像传感器的灵敏度以及量子效率,使得最终形成的图像传感器的性能提升。

    电路结构及其工作方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114173073B

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202111482122.5

    申请日:2021-12-06

    发明人: 张琦

    摘要: 一种电路结构及其工作方法,其中一种电路结构包括:第一电容单元,第一电容单元包括:第一输入端、以及第一输出端;第二电容单元,第二电容单元包括:与第一输入端相连的第二输入端、以及第二输出端;第三电容单元,第三电容单元包括:与第一输出端相连的第三输入端、与第二输出端相连的第四输入端、第三输出端、以及第四输出端;比较器,第一比较输入端与第三输出端相连;计数器,计数器包括:与比较输出端相连的第五输入端、第五输出端、以及第六输入端;列存储器,列存储器包括:与第五输出端相连的第七输入端,与第六输入端相连的第六输出端,第八输入端,第九输入端。本发明技术方案缩短了像素读出时间,同时消除了竖纹噪声。

    单斜ADC装置及图像传感器、模数转换方法

    公开(公告)号:CN117395534A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311277733.5

    申请日:2023-09-28

    发明人: 张琦 杜佳恒

    IPC分类号: H04N25/772

    摘要: 一种单斜ADC装置及图像传感器及模数转换方法。所述单斜ADC装置第一比较器;第二比较器,用于将所述第二输入信号的电压与所述斜坡信号的电压进行比较,得到时钟调整信号;以及计数器,适于利用计数时钟信号,自所述斜坡信号的电压开始下降时刻起启动计数,直至所述计数停止信号发生翻转,以得到第一输入信号对应的数字信号;第二输入信号的电压为第一输入信号的电压与预设电压之和;计数器,用于在计数时间内且所述时钟调整信号为第二逻辑值时,恢复所述计数器的低位计数时钟信号,直至计数时间结束,在其它时间内关闭所述计数器的低位计数时钟信号。采用上述方案,可以降低单斜ADC装置的功耗。

    图像处理方法及系统
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114466170B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202111000522.8

    申请日:2021-08-27

    发明人: 陈炜

    摘要: 一种图像处理方法及系统,其中系统包括:图像获取模块,用于获取传感器图像,传感器图像包括若干白色像素和若干彩色像素,若干白色像素和若干彩色像素呈二维像素阵列排布,白色像素具有白色像素值,彩色像素具有彩色像素值,传感器图像中的各个彩色像素为待插值像素;以及处理模块,用于根据传感器图像中的白色像素值、或白色像素值和彩色像素值,获取各个待插值像素的待插白色像素值。由于处理模块在获取待插值像素的待插白色像素值时,综合了彩色像素进行判断,即使在密集的线条区域,也可以正确判断待插值像素的插值方向,进而获取更精确的待插白色像素值,从而提升最终的图像质量。

    电极走线结构、图像传感器系统
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116684751A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310713694.2

    申请日:2023-06-15

    发明人: 徐新楠

    IPC分类号: H04N25/71 H04N25/76

    摘要: 一种电极走线结构、图像传感器系统,所述电极走线结构包括:M根电极线和N组信号连接单元,M和N均为正整数。所述M根电极线沿第一方向延伸。第m组信号连接单元包括:M个信号端和M条信号连接线,1≤m≤N。所述M根电极线与所述M条信号连接线一一对应,所述M个信号端通过所述M条信号连接线与所述M根电极线连接于M个连接点,所述M条信号连接线沿第二方向延伸,所述第二方向与所述第一方向垂直。在第m组信号连接单元中,所述M个信号端包括:至少一个传输门控制信号端。所述传输门控制信号端对应的连接点位于其所在电极线的中间。

    一种图像传感器的坏点检测方法、存储介质以及拍摄装置

    公开(公告)号:CN112734719B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202110014533.5

    申请日:2021-01-06

    发明人: 陈炜 池国泉

    IPC分类号: G06T7/00 H04N17/00

    摘要: 一种坏点检测方法,包括:获取连续拍摄的多帧图像、以及提供第一存储器和第二存储器,所述第一存储器和第二存储器包括N个相互对应的单元;依次判断各个图像中的各个单元中是否有真实坏点,包括:将所述待检测帧的N个单元的对比度与所述第一存储器中对应单元的值相比较;对所述待检测帧中各单元的对比度与所述第一存储器对应单元的对比度之差的绝对值大于第一阈值的单元进行疑似坏点检测,并获取所述待检测帧中对应单元的疑似坏点坐标集合;确定所述待检测帧中对应单元的疑似坏点坐标集合与所述第二存储器的相应单元中的疑似坏点坐标集合的交集为真实坏点坐标集合;重复上述步骤,以获得其他帧图像的真实坏点坐标集合。

    CMOS-TDI图像传感器及其形成方法

    公开(公告)号:CN109216393B

    公开(公告)日:2023-05-19

    申请号:CN201811287208.0

    申请日:2018-10-31

    发明人: 黄金德 王林

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 一种CMOS‑TDI图像传感器及其形成方法,其中,CMOS‑TDI图像传感器包括:基底,所述基底内具有第一沟道,所述第一沟道内掺杂有第一离子;位于所述第一沟道顶部的若干个相互分立的掺杂区,所述掺杂区内掺杂有第二离子,所述第二离子与第一离子的导电类型相反;位于所述第一沟道上的第一栅极结构,所述第一栅极结构横跨若干个掺杂区。所述CMOS‑TDI图像传感器的暗电流较小。