一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成层间介质层；在层间介质层中形成露出基底的开口；在开口底部和侧壁上形成栅介质层；通过原子层沉积工艺进行至少1次膜层形成工艺，在栅介质层上形成含铝功函数层，当膜层形成工艺次数为1次时，膜层形成工艺中含铝前驱体的脉冲次数至少为2次，当膜层形成工艺次数大于1次时，至少第1次膜层形成工艺中含铝前驱体的脉冲次数至少为2次；在形成有功函数层的开口中形成金属栅极。通过增加含铝前驱体的脉冲次数，特别是第1次膜层形成工艺中的脉冲次数，以增加开口中的铝原子含量，提高铝原子在开口中的沉积能力，从而增加功函数层的铝原子含量，进而改善晶体管的阈值电压翻转问题。