发明授权
- 专利标题: 透明导电体
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申请号: CN201780036160.3申请日: 2017-06-09
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公开(公告)号: CN109313964B公开(公告)日: 2020-01-17
- 发明人: 新开浩 , 玉川祥久 , 田边喜彦 , 佐藤吉德
- 申请人: TDK株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: TDK株式会社
- 当前专利权人: TDK株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 杨琦; 尹明花
- 优先权: 2016-117142 2016.06.13 JP
- 国际申请: PCT/JP2017/021450 2017.06.09
- 国际公布: WO2017/217329 JA 2017.12.21
- 进入国家日期: 2018-12-11
- 主分类号: H01B5/14
- IPC分类号: H01B5/14 ; B32B9/00 ; B32B15/08 ; C01G19/00 ; C01G33/00 ; H01L51/50 ; H05B33/04 ; H05B33/12 ; H05B33/28
摘要:
本发明提供一种透明导电体(100),其特征在于,依次具备透明树脂基材(10)、第一金属氧化物层(12)、含有银合金的金属层(16)以及第二金属氧化物层(14),其中,第一金属氧化物层(12)含有氧化锡和氧化铌中的至少一种,当将氧化锡和氧化铌分别换算为SnO2和Nb2O5时,相对于第一金属氧化物层(12)中所含的金属氧化物的合计的SnO2和Nb2O5的合计摩尔基准含量大于相对于第二金属氧化物层(14)中所含的金属氧化物的合计的SnO2和Nb2O5的合计摩尔基准含量,第一金属氧化物层(12)中的上述含量为45mol%以上。
公开/授权文献
- CN109313964A 透明导电体 公开/授权日:2019-02-05