层叠树脂膜、集电体及二次电池
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116940464A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202180093935.7

    申请日:2021-02-18

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: B32B15/08

    摘要: 一种层叠树脂膜,其具有树脂层和设置于上述树脂层的一面侧或两面侧的Cu膜,就上述Cu膜而言,(111)面的基于罗格林(Lotgering)法的取向指数为0.15以上,(111)面的由X射线衍射测定得到的X射线衍射峰的半值宽度为0.3°以下,且满足下述式(1)。Y≥3.75x‑0.675式(1)(式(1)中,Y是上述Cu膜中的(111)面的基于罗格林法的取向指数,x是上述Cu膜中的(111)面的由X射线衍射测定得到的X射线衍射峰的半值宽度)。

    透明导电体
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109313964A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201780036160.3

    申请日:2017-06-09

    申请人: TDK株式会社

    摘要: 本发明提供一种透明导电体(100),其特征在于,依次具备透明树脂基材(10)、第一金属氧化物层(12)、含有银合金的金属层(16)以及第二金属氧化物层(14),其中,第一金属氧化物层(12)含有氧化锡和氧化铌中的至少一种,当将氧化锡和氧化铌分别换算为SnO2和Nb2O5时,相对于第一金属氧化物层(12)中所含的金属氧化物的合计的SnO2和Nb2O5的合计摩尔基准含量大于相对于第二金属氧化物层(14)中所含的金属氧化物的合计的SnO2和Nb2O5的合计摩尔基准含量,第一金属氧化物层(12)中的上述含量为45mol%以上。

    透明导电体
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107735841B

    公开(公告)日:2020-05-05

    申请号:CN201680037978.2

    申请日:2016-12-08

    申请人: TDK株式会社

    摘要: 本发明的透明导电体(100)依次具备透明树脂基材(10)、第一金属氧化物层(12)、包含银合金的金属层(16)和第二金属氧化物层(14)。第一金属氧化物层(12)含有氧化锌、氧化铟和氧化钛,并且,将氧化锌、氧化铟、氧化钛和氧化锡这4种成分分别换算成ZnO、In2O3、TiO2和SnO2时,相对于4种成分的合计,SnO2的含量为40mol%以下。第二金属氧化物层(14)含有上述4种成分,并且,将该4种成分分别换算成ZnO、In2O3、TiO2和SnO2时,相对于4种成分的合计,SnO2的含量为12~40mol%。

    透明导电体
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107735841A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201680037978.2

    申请日:2016-12-08

    申请人: TDK株式会社

    摘要: 本发明的透明导电体(100)依次具备透明树脂基材(10)、第一金属氧化物层(12)、包含银合金的金属层(16)和第二金属氧化物层(14)。第一金属氧化物层(12)含有氧化锌、氧化铟和氧化钛,并且,将氧化锌、氧化铟、氧化钛和氧化锡这4种成分分别换算成ZnO、In2O3、TiO2和SnO2时,相对于4种成分的合计,SnO2的含量为40mol%以下。第二金属氧化物层(14)含有上述4种成分,并且,将该4种成分分别换算成ZnO、In2O3、TiO2和SnO2时,相对于4种成分的合计,SnO2的含量为12~40mol%。

    集电体、蓄电器件用电极及锂离子二次电池、以及集电体的制造方法

    公开(公告)号:CN118679609A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202280088879.2

    申请日:2022-01-17

    申请人: TDK株式会社

    IPC分类号: H01M4/66

    摘要: 本发明提供一种集电体,其包含:具有第一表面及位于与第一表面相反的一侧的第二表面的树脂层、和含有铜的金属层,其中,金属层包含位于树脂层的第一表面侧的第一金属层,集电体的屈服应力σY1小于树脂层的拉伸破坏应力σB2,集电体的屈服应力σY1[MPa]是根据树脂层的屈服应力σY2[MPa]、树脂层的厚度D2[μm]、金属层的屈服应力σY3[MPa]、及金属层的厚度D3[μm]通过下述式(1)、(2)求得的值,金属层的屈服应力σY3[MPa]是根据金属层的X射线衍射图案中的强度最高的X射线衍射峰的半值宽度β[°]通过下述式(3)求得的值,σY1=A×σY3+(1‑A)×σY2(1)A=D3/(D2+D3)(2)#imgabs0#

    透明导电体
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109313964B

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201780036160.3

    申请日:2017-06-09

    申请人: TDK株式会社

    摘要: 本发明提供一种透明导电体(100),其特征在于,依次具备透明树脂基材(10)、第一金属氧化物层(12)、含有银合金的金属层(16)以及第二金属氧化物层(14),其中,第一金属氧化物层(12)含有氧化锡和氧化铌中的至少一种,当将氧化锡和氧化铌分别换算为SnO2和Nb2O5时,相对于第一金属氧化物层(12)中所含的金属氧化物的合计的SnO2和Nb2O5的合计摩尔基准含量大于相对于第二金属氧化物层(14)中所含的金属氧化物的合计的SnO2和Nb2O5的合计摩尔基准含量,第一金属氧化物层(12)中的上述含量为45mol%以上。