一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法，依次包括如下步骤：a)采用MOCVD法生长半导体激光器外延片；b)在接触层上生长保护层；c)在保护层上粘接临时衬底；d)对第一衬底进行减薄处理；e)在第一衬底下端切割N个开槽；f)进行湿法氧化处理；g)对第一衬底进行蒸发键合金属处理；h)去除临时衬底；i)制成激光器。通过湿法氧化处理后，制备了电流截止区域，能使脊上有较大的电流密度，提升光电转换效率，同时在第一衬底下方制作第二衬底，第二衬底相比第一衬底具备更高的热扩散系数，有利于激光器散热，提高激光器的寿命和可靠性。