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公开(公告)号：CN116395393A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310296599.7
申请日：2023-03-24
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种半导体激光器巴条自动分离胶膜转运的装置及应用，属于半导体激光器技术领域。装置包括三轴联动装置、真空吸嘴、真空吸附装置、巴条传输盒和控制系统，其中，三轴联动装置控制端设置有真空吸嘴，三轴联动装置内设置有真空吸附装置，真空吸嘴和真空吸附装置均连接有真空泵，真空吸附装置一侧设置有多个巴条传输盒，三轴联动装置和真空泵均连接有控制系统。本发明通过真空吸附胶膜背面，依靠底部支撑结构，胶膜呈现凹形，巴条与胶膜从面接触转变成线接触，减少接触面积，便于后续巴条吸取转运，而且通过三轴联动配合真空吸取摆放巴条，提高巴条下传效率，且吸取更加便捷、安全、操作难度低，操作成本和时间成本低，产品产出率高。
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公开(公告)号：CN112147848A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910563067.9
申请日：2019-06-26
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/768 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种小尺寸沟槽的制备方法，本技术方案首先在外延片上面旋涂一层厚的正性光刻胶，利用光刻掩膜版采用曝光、显影的方式制备出一定宽度的光刻胶窗口，然后在带有光刻胶的沉底上面直接旋涂一层薄的光刻胶，形成具有沟型弧度光刻胶掩膜层，沟型弧度底部的尺寸小于光刻胶显影图形的宽度，最后通过干法刻蚀将沟槽底部比较薄的光刻胶刻蚀掉，然后直接以光刻胶做掩膜继续进行刻蚀，得到尺寸≤5um的沟槽图形，实现更小尺寸沟槽的制备。本技术方案设计合理，操作简单，不仅有效实现了小尺寸沟槽的制备，避免了多次光刻，直接一次干法刻蚀就可以实现，同时使用成本低，简化了工艺步骤，实用性较好。
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公开(公告)号：CN110768098A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810839272.9
申请日：2018-07-27
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 一种偏脊结构带有焊线图形的半导体激光器的制备方法。制备的肩部Ⅰ与肩部Ⅱ不等宽，使脊型结构不在位于芯片的正中间，在较宽的肩部Ⅱ上可以有充裕的空间先设置好金丝焊线位置图形，后其在金丝焊线位置图形上进行金丝打线就有效避免了损伤管芯的情况发生，有效避免金丝打线时造成管芯坏死或者失效的情况发生。同时由于在脊型结构上制备了电流注入窗口，即标记了出光面，便于后续封装。由于在较宽的肩部Ⅱ中制备出沟槽Ⅱ，从而避免了由于肩部Ⅱ相对肩部Ⅰ较宽导致电流注入时候不均匀的情况。由于在激光器芯片表面除去金丝焊线位置图形之外的区域生长一层介质膜Ⅱ，因此可以保护芯片不被损伤。
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公开(公告)号：CN117791292A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211160001.3
申请日：2022-09-22
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/02
摘要： 本发明涉及一种半导体激光器芯片及其解理方法，在激光器芯片中，外延层的上部周期性设置有脊条结构和P‑窗口区，并且P‑窗口区的长度方向与脊条结构的长度方向相互垂直；所述衬底的下表面设置有周期性排列的N面解理槽，并且N面解理槽的长度方向与P‑窗口区的长度方向是相同的。本发明通过优化激光器芯片结构设计，在N面增加用于解理的N面解理槽，避免了常规芯片P面解理容易产生金属塌陷、金属撕裂、巴条裂偏等问题，从而提高产品良率，提升工作效率；在解理过程中，通过N面划线，并通过控制划线速度、划线长度和划线压力，减少发光区的污染和损伤，提高了解理后巴条良率。
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公开(公告)号：CN116604494A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310634429.5
申请日：2023-05-31
申请人： 山东华光光电子股份有限公司 , 山东芯光光电科技有限公司
IPC分类号： B25B11/00
摘要： 本发明涉及一种提高半导体激光器巴条夹持数量的弹性镀膜夹具及应用，属于半导体激光器领域，包括底座、防护盖和弹簧夹板，底座两侧设有燕尾台；弹簧夹板成对设置，弹簧夹板两侧均设置有燕尾槽；一对弹簧夹板中，弹簧夹板A和弹簧夹板B之间用于夹持巴条和陪条；弹簧夹板A固定，弹簧夹板B为滑动连接，弹簧夹板B与下一对弹簧夹板的弹簧夹板A之间通过弹簧连接，通过弹簧提供弹性力。本发明减少夹板了面积，最大利用镀膜空间，单位空间能稳定弹性夹持更多巴条，提高每炉产出率，节省镀膜设备准备时间，且弹性夹持解决高低温环境下刚性件应力变形导致的巴条损伤、镀膜不均甚至掉落的风险，提高镀膜产出率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN116565691A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310633870.1
申请日：2023-05-31
申请人： 山东华光光电子股份有限公司 , 山东芯光光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种高慢轴光束质量的宽条型大功率半导体激光器及其制备方法。所述半导体激光器的P型限制层呈脊型台状，宽条型脊条设置在P型限制层本体层上方；宽条型脊条上表面设置有欧姆接触层，欧姆接触层上表面设置有深入至P型限制层内的柱状孔；欧姆接触层上方设置有P面金属层，欧姆接触层侧表面、宽条型脊条侧表面和P型限制层本体层上表面设置有绝缘层。本发明通过在宽条型脊条边缘处制备空气柱结构，降低宽条型脊条边缘处的散热能力，降低宽条型脊条边缘处的散热效率，消除热分布不均匀问题，消除热透镜效应，降低芯片在大功率工作模式下的慢轴发散角，有效提高宽条型半导体激光器的光束质量。
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公开(公告)号：CN110875575A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201811008424.7
申请日：2018-08-31
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/223
摘要： 一种半导体激光器窄脊条结构的制作方法，通过使用第二光刻胶层和硬质掩膜层作为刻蚀掩膜利用ICP干法刻蚀技术，制备出宽度小于2μm的垂直窄脊条。利用硬质掩膜层在上，第一光刻胶层在下的掩膜结构在保证足够刻蚀选择比的同时保护光刻胶免受离子轰击，维持光刻胶强度，为制作电流注入窗口提供可能。利用ICP产生的等离子体使可剥胶层两个侧壁与氧等离子体反应，可剥胶层宽度变窄，实现了在窄脊条上做出更窄的电流注入窗口的目的。
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公开(公告)号：CN109698465A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710986641.2
申请日：2017-10-20
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 一种高电流注入密度的半导体激光器，在窄脊条上GaAs接触层为内缩结构。本发明在外延片上生长做干法刻蚀用的硬质掩膜，在生长有硬质掩膜的外延片上旋涂光刻胶，并利用设定尺寸的光刻版光刻得到与所需脊条尺寸相近的光刻胶掩膜图形；使用干法刻蚀的方式以光刻胶为掩膜刻蚀硬质掩膜，继续以干法刻蚀掉外延层，形成≤5μm宽度的脊条结构；腐蚀GaAs接触层，形成内缩的脊条；再次生长SiO2做电流阻挡层；湿法腐蚀的方式去除掉GaAs接触层上表面电流阻挡层，最后形成半导体激光器。本发明利用干法刻蚀侧壁形成陡直窄脊型结构，并减小脊条顶部GaAs接触尺寸，提高了电流注入密度，增强光电转换效率。
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公开(公告)号：CN109326952A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201710636400.5
申请日：2017-07-31
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法，依次包括如下步骤：a)采用MOCVD法生长半导体激光器外延片；b)在接触层上生长保护层；c)在保护层上粘接临时衬底；d)对第一衬底进行减薄处理；e)在第一衬底下端切割N个开槽；f)进行湿法氧化处理；g)对第一衬底进行蒸发键合金属处理；h)去除临时衬底；i)制成激光器。通过湿法氧化处理后，制备了电流截止区域，能使脊上有较大的电流密度，提升光电转换效率，同时在第一衬底下方制作第二衬底，第二衬底相比第一衬底具备更高的热扩散系数，有利于激光器散热，提高激光器的寿命和可靠性。
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公开(公告)号：CN117833020A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211200626.8
申请日：2022-09-29
申请人： 山东华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体激光器芯片及其制备方法，该芯片包括设置在脊条中部的非电流注入区；所述中部非电流注入区可以减少集中于脊条中心处的热量，从而减少热效应的产生；还包括设置在脊条前腔面处的弧形非电流注入区，所述弧形非电流注入区可以有效减少前腔面处功率密度，有效抑制腔面光学灾变的产生；还包括设置在所述脊条后腔面处的模式筛选区，所述模式筛选区为从表面覆盖层向下延伸至N限制层的若干条相互平行分布的条状槽体；所述衬底的底面上覆盖有N面金属电极。本发明激光器芯片采用模式筛选区与电流非注入区相结合的方式有效减少了COD现象，改善激光器光束质量，提高COD电流和激光器的输出功率功率。
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