发明授权
- 专利标题: 组合传感器
-
申请号: CN201811496462.1申请日: 2018-12-07
-
公开(公告)号: CN109362013B公开(公告)日: 2023-11-14
- 发明人: 王德信 , 杨军伟 , 潘新超 , 端木鲁玉 , 邱文瑞
- 申请人: 潍坊歌尔微电子有限公司
- 申请人地址: 山东省潍坊市潍坊高新区新城街道蓉花社区蓉花路102号歌尔二期工业园10号楼
- 专利权人: 潍坊歌尔微电子有限公司
- 当前专利权人: 潍坊歌尔微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 山东省潍坊市潍坊高新区新城街道蓉花社区蓉花路102号歌尔二期工业园10号楼
- 代理机构: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
- 代理商 胡海国
- 主分类号: H04R19/04
- IPC分类号: H04R19/04
摘要:
本发明公开了一种组合传感器,组合传感器包括:基板,基板具有上表面和下表面;第一MEMS芯片和第一ASIC芯片,第一MEMS芯片和第一ASIC芯片安装至基板的上表面,第一MEMS芯片和第一ASIC芯片电连接,第一MEMS芯片为电容式结构;以及第二MEMS芯片和第二ASIC芯片,第二MEMS芯片和第二ASIC芯片安装至基板的上表面,第二MEMS芯片和第二ASIC芯片电连接,第二MEMS芯片的工作电压为交流电压;第一MEMS芯片和第二ASIC芯片的最短距离为d1,d1≥0.3mm,第一ASIC芯片和第二ASIC芯片的最短距离为d2,d2≥1.2mm。本发明技术方案减弱寄生电容效应,从而减小了电磁感应,使得组合传感器工作时,第一MEMS芯片的本底噪声大幅度下降,提升了组合传感器的整体性能。
公开/授权文献
- CN109362013A 组合传感器 公开/授权日:2019-02-19