发明公开
- 专利标题: 一种功率芯片的划片方法及半导体器件
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申请号: CN201811136919.8申请日: 2018-09-27
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公开(公告)号: CN109449084A公开(公告)日: 2019-03-08
- 发明人: 武伟 , 李现兵 , 韩荣刚 , 吴军民 , 张喆 , 张朋 , 林仲康 , 唐新灵 , 石浩 , 王亮
- 申请人: 全球能源互联网研究院有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 专利权人: 全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人: 全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 李博洋
- 主分类号: H01L21/304
- IPC分类号: H01L21/304 ; H01L21/78
摘要:
本发明公开了一种功率芯片的划片方法及半导体器件,其中,该划片方法包括如下步骤:在晶圆正面的划片道位置上形成划片槽,划片槽露出晶圆背面的金属层;在划片槽内填充塑封材料;采用刀片切割方式对晶圆进行切割,得到若干个独立的芯片。该功率芯片的划片方法,先在晶圆的正面制备划片槽,划片槽延伸至晶圆背面的金属层,这样可以大大降低后续采用金刚石砂轮划片进行机械切割的切割强度;之后,在划片槽内填充塑封材料,塑封材料对芯片的侧壁进行了保护,提高了芯片的耐压等级;最后,采用刀片切割晶圆得到若干个独立的功率芯片;解决了现有技术中功率芯片采用机械切割方式进行划片导致在划片后的芯片正反两面边缘处产生崩边的问题。
公开/授权文献
- CN109449084B 一种功率芯片的划片方法及半导体器件 公开/授权日:2021-06-22
IPC分类: