发明公开
- 专利标题： 基于铝氧化物的RRAM及其制备方法
-
申请号： CN201811128573.7申请日： 2018-09-27
-
公开(公告)号： CN109461812A公开(公告)日： 2019-03-12
- 发明人: 沈棕杰 , 戚燕菲 , 赵春 , 赵策洲 , 杨莉 , 张艺 , 罗天 , 黄彦博
- 申请人： 西交利物浦大学
- 申请人地址： 江苏省苏州市工业园区独墅湖科教创新区仁爱路111号
- 专利权人： 西交利物浦大学
- 当前专利权人： 西交利物浦大学
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市工业园区独墅湖科教创新区仁爱路111号
- 代理机构： 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 范晴
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00
摘要：
一种电子器件技术领域基于铝氧化物的RRAM及其制备方法，包括由下至上层叠设置的基底、阻变氧化层和上电极层；所述基底包括绝缘层和下电极层；所述阻变氧化层为Al2O3薄膜层；所述上电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的上电极，所述上电极在远离阻变氧化层的表面设有金属保护层。本发明采用溶液法工艺制造阻变氧化层，实现低成本RRAM的制备，设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
公开/授权文献
- CN109461812B 基于铝氧化物的RRAM及其制备方法 公开/授权日：2022-07-29
IPC分类:
