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公开(公告)号：CN110299448A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910559817.5
申请日：2019-06-26
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器及制备方法，包括由上至下设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述顶电极层包括若干个设置在阻变氧化层上的顶电极；所述阻变氧化层为掺杂金属氧化层；制备具体步骤包括：a）基底清洗；b）制备阻变氧化层；c）制备顶电极层；d）制备保护层。本案中的金属氧化层以及掺杂粉末均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层或双层纯金属氧化层的RRAM器件，掺杂RRAM器件阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
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公开(公告)号：CN110071216A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910292557.X
申请日：2019-04-12
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明属于电子器件技术领域，具体保护基于金属氧化物的双氧化物层RRAM及其制备方法。双氧化物层RRAM包括由上至下层叠设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述阻变氧化层为由上至下层叠设置的In2O3和Al2O3双层金属氧化层；所述顶电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的顶电极，所述顶电极在远离阻变氧化层的表面设有保护层；所述基底包括底电极层和绝缘层。本发明对两层金属氧化层均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层金属氧化层的RRAM器件，阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。
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公开(公告)号：CN209747558U
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201920491530.9
申请日：2019-04-12
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本实用新型属于电子器件技术领域，具体保护基于金属氧化物的双氧化物层RRAM及其制备方法。双氧化物层RRAM包括由上至下层叠设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述阻变氧化层为由上至下层叠设置的In2O3和Al2O3双层金属氧化层；所述顶电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的顶电极，实用新型所述顶电极在远离阻变氧化层的表面设有保护层；所述基底包括底电极层和绝缘层。本实用新型对两层金属氧化层均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层金属氧化层的RRAM器件，阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210272426U
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201920971159.6
申请日：2019-06-26
申请人： 西交利物浦大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本实用新型公开了一种掺杂金属氧化物的阻变式随机存取存储器，包括由上至下设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述顶电极层包括若干个设置在阻变氧化层上的顶电极；所述阻变氧化层为掺杂金属氧化层。本案中的金属氧化层以及掺杂粉末均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层或双层纯金属氧化层的RRAM器件，掺杂RRAM器件阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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