发明授权
- 专利标题： 半导体器件和制造其的方法
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申请号： CN201811062733.2申请日： 2018-09-12
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公开(公告)号： CN109494157B公开(公告)日： 2023-04-07
- 发明人: 徐东灿 , 李商文 , 金利桓 , 宋宇彬 , 申东石 , 李承烈
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 屈玉华
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L29/06
摘要：
一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。
公开/授权文献
- CN109494157A 半导体器件和制造其的方法 公开/授权日：2019-03-19