本发明公开了一种基于电致发光计算太阳电池片局部IV性能的方法，通过在标准晶体硅太阳电池片电池上施加两组不同的外加偏压，得到相应的电致发光图像，然后计算得到校准系数，局部光生电流，局部串、并联电阻以及局部理想因子，最后根据单二极管等效电路模型，得到电池片局部IV曲线。本发明通过利用电致发光测试方法可以快速的计算出电池片的五个局部性能参数得到局部IV曲线，可以在对电池片的无损害的情况下，能够判断电池片产生光生载流子的能力，判断电池片局部IV性能，提高电池的可靠性。