发明授权
- 专利标题： 半导体器件
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申请号： CN201810359607.7申请日： 2018-04-20
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公开(公告)号： CN109524036B公开(公告)日： 2022-12-02
- 发明人: 权奇薰 , 金载镒
- 申请人： 爱思开海力士有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京弘权知识产权代理有限公司
- 代理商 李少丹; 许伟群
- 优先权： 10-2017-0120184 20170919 KR
- 主分类号： G11C11/406
- IPC分类号： G11C11/406 ; G11C11/4072
摘要：
一种半导体器件包括初始缓冲器信号发生电路和缓冲器信号发生电路。初始缓冲器信号发生电路包括如果初始化操作终止则被激活的初始缓冲器电路。初始缓冲器信号发生电路响应于第一参考电压信号而从外部控制信号产生初始缓冲器信号。缓冲器信号发生电路包括响应于初始缓冲器信号而被激活的缓冲器电路。缓冲器信号发生电路响应于第二参考电压信号而从外部控制信号产生缓冲器信号。
公开/授权文献
- CN109524036A 半导体器件 公开/授权日：2019-03-26
