- 专利标题: 一种低温、高气压环境下绝缘介质击穿强度实验装置
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申请号: CN201811575006.6申请日: 2018-12-21
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公开(公告)号: CN109541019B公开(公告)日: 2022-11-15
- 发明人: 任成燕 , 胡多 , 邵涛 , 章程 , 严萍 , 邱清泉 , 李杨威
- 申请人: 中国科学院电工研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村北二条6号
- 专利权人: 中国科学院电工研究所
- 当前专利权人: 中国科学院电工研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村北二条6号
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 朱静谦
- 主分类号: G01N27/92
- IPC分类号: G01N27/92 ; G01R31/12
摘要:
本发明提供的一种低温、高气压环境下绝缘介质击穿强度实验装置,包括:腔体,具有容纳介质的密封空间;高压电极,固定设于所述密封空间内,与实验电源高压端等电位连接;地电极,对应所述高压电极设置于所述密封空间,通过地极引线接地;调节机构,设置于所述密封空间,包括驱动所述地电极靠近或远离所述高压电极运动的驱动端。将用于调节电极间距的操作机构置于测试腔体内部,实现了无动密封部件。规避了在低温、高气压环境下使用胶圈或金属过度配合的动密封方式所带来的问题,提供了一种能够在低温、高气压环境下使用的绝缘介质击穿强度实验装置。
公开/授权文献
- CN109541019A 一种低温、高气压环境下绝缘介质击穿强度实验装置 公开/授权日:2019-03-29