Invention Grant
- Patent Title: 一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法
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Application No.: CN201811381345.0Application Date: 2018-11-19
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Publication No.: CN109545699BPublication Date: 2020-08-18
- Inventor: 杨成樾 , 周正东 , 罗烨辉 , 陈宏 , 白云 , 李诚瞻 , 刘国友 , 刘新宇
- Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲中车时代电气股份有限公司
- Applicant Address: 北京市朝阳区北土城西路3号
- Assignee: 中国科学院微电子研究所,株洲中车时代电气股份有限公司
- Current Assignee: 中国科学院微电子研究所,株洲中车时代电气股份有限公司
- Current Assignee Address: 北京市朝阳区北土城西路3号
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 崔亚松
- Main IPC: H01L21/66
- IPC: H01L21/66 ; H01L29/45

Abstract:
一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法,包括:提供具有不同面积的多个SiC衬底,所述SiC衬底的正反两面分别具有接触金属层;分别测量每个SiC衬底在正反两面之间的I‑V特性,得到每个SiC衬底的I‑V测试曲线;根据所述I‑V测试曲线拟合求出每个SiC衬底的总电阻R(S),所述总电阻R(S)与所述SiC衬底的面积S相关;以及根据所述多个SiC衬底的总电阻R(S)和面积S推导计算所述接触金属层与所述SiC衬底之间的比接触电阻率ρc。本发明可以减少工艺步骤,降低工艺成本。
Public/Granted literature
- CN109545699A 一种测量SiC衬底背面欧姆接触的比接触电阻率的方法 Public/Granted day:2019-03-29
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