本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。包括：提供至少两种设有氮化铝层的衬底，各种衬底上的氮化铝层的厚度不同；提供一石墨基座，石墨基座上设有多个口袋；在每个口袋中放置一个衬底，衬底上的氮化铝层朝向口袋的开口，分布在同一个圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层的厚度相同，分布在至少两个同心圆上的口袋中放置的衬底上的氮化铝层的厚度自至少两个同心圆的圆心沿至少两个同心圆的径向逐渐减少；在每个口袋中放置的衬底上的氮化铝层上依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层，形成氮化镓基发光二极管外延片。本发明可使得所有口袋中形成的外延片的翘曲一致。