Invention Grant
- Patent Title: 一种具有高磁性能的YDMO薄膜及其制备方法
-
Application No.: CN201811497894.4Application Date: 2018-12-07
-
Publication No.: CN109576682BPublication Date: 2021-05-11
- Inventor: 谈国强 , 任茜茜 , 刘云 , 薛敏涛 , 任慧君 , 夏傲
- Applicant: 陕西科技大学
- Applicant Address: 陕西省西安市未央区大学园1号
- Assignee: 陕西科技大学
- Current Assignee: 傅喆
- Current Assignee Address: 315300 浙江省宁波市慈溪市观海卫镇小团浦村沙浦翁家新村东路30号
- Agency: 西安通大专利代理有限责任公司
- Agent 徐文权
- Main IPC: C23C18/12
- IPC: C23C18/12 ; C23C18/04 ; H01F41/22 ; H01F41/24

Abstract:
本发明提供一种具有高磁性能的YDMO薄膜及其制备方法,化学式为Y1‑xDyxMnO3,其中,x=0.1≤y≤0.5,六方结构,空间群为P63cm。本发明在YMnO3的A位掺杂稀土离子Dy,得到Y1‑xDyxMnO3薄膜,晶胞参数图显示掺杂后晶胞参数a和c发生较大变化,拉曼散射光谱图显示,Dy3+掺杂进入YMnO3晶格替代Y3+,因为Y3+半径为0.89nm,Dy3+半径为0.91nm,在YMnO3中Y3+处于双锥六面体的中间层,中间层的改变会引起双锥六面体顶点的倾斜,改变薄膜内部自旋结构对称性,最终证明掺杂后薄膜内部结构发生畸变,自旋对称性改变,最终使磁性能提高,得到高铁磁性薄膜材料。
Public/Granted literature
- CN109576682A 一种具有高磁性能的YDMO薄膜及其制备方法 Public/Granted day:2019-04-05
Information query
IPC分类: