发明授权
- 专利标题： 避免非易失存储器过擦写的方法
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申请号： CN201811450860.X申请日： 2018-11-30
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公开(公告)号： CN109584939B公开(公告)日： 2021-05-11
- 发明人: 赵强 , 武占河 , 李文周 , 王玉娟 , 金则群
- 申请人： 华立科技股份有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市余杭区五常街道五常大道181号
- 专利权人： 华立科技股份有限公司
- 当前专利权人： 华立科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市余杭区五常街道五常大道181号
- 主分类号： G11C16/34
- IPC分类号： G11C16/34
摘要：
本发明提供了一种避免非易失存储器过擦写的方法，通过实时统计非易失Flash的擦写次数，从中锁定一些最频繁被擦写的地址，对于超过约定擦写次数的地址，可以暂时中止擦写，停止进一步对非易失Flash的损伤，同时通过通讯、显示，将异常地址上报，从而便于程序员知道问题隐患并可及时定位问题所在。通过本发明，可以在内部测试期间就发现问题，从而将隐患消灭在出厂前，降低生产成本。
公开/授权文献
- CN109584939A 避免非易失存储器过擦写的方法 公开/授权日：2019-04-05
