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公开(公告)号：CN214956024U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202121342192.6
申请日：2021-06-16
申请人： 芯天下技术股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种FLash，包括：用于相互配合实现算法状态机功能的ROM/内嵌FLash和MCU，所述MCU与所述ROM/内嵌FLash连接，所述ROM/内嵌FLash用于存储编程和擦除算法，所述MCU用于执行所述编程和擦除算法；当使用的是MCU搭配ROM的架构时，发生改版时只需要改动ROM的金属层即可，不需要改动扩散层(扩散层的成本一般比金属层高一个数量级)，因此降低了陈本；当使用的是MCU搭配内嵌Flash的架构时，发生改版时，只要重新通过对指令空间擦除和编程，不需要对光掩模改版，节省了成本。
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公开(公告)号：CN204332380U
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201420813474.3
申请日：2014-12-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十七研究所
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/12 , G11C16/34 , G11C16/04 , H03K17/687
摘要： 本实用新型公开了一种反熔丝编程烧录电路，该实用新型包括：用于与反熔丝电连接的开关管；与所述开关管连接用于向所述开关管提供开关电压的开关电压控制电路；与所述开关管连接用于向所述开关管提供不同控制电压的可调电压控制电路。本实用新型电路结构简单、控制灵活、电路速度快、防止反熔丝烧录不足或者过分烧录，提高了反熔丝编程的质量，增强了反熔丝编程可靠性。
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公开(公告)号：CN204178727U
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201420553640.0
申请日：2014-09-25
申请人： 苏州宽温电子科技有限公司
摘要： 本实用新型是一种改进型选择栅驱动电路，该电路比传统的选择栅驱动电路增加了两个三阱工艺的NMOS晶体管，其中一个NMOS晶体管（第二NMOS管M6）在读取时起到隔离作用，另一个NMOS晶体管（第三NMOS管M7）避免了擦除时电路中出现浮置节点。本实用新型提出的选择栅驱动电路在读取时拥有较短的响应时间，有利于加快读取速度，缩短读取周期，擦除时避免了浮置节点的影响，消除了发生电路功能错误的隐患，提高存储器整体稳定性，增强了存储器的存取性能。
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公开(公告)号：CN201780798U
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200920282841.0
申请日：2009-12-24
申请人： 苏州亮智科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种高纠错能力的NAND闪存，利用本实用新型所述外部ECC电路来支持所有的NAND类型和设计，这种方法还能提供性能和接口等方面的其他好处，它在不改变NAND控制器的前提下，将ECC与NAND芯片封装或者外置，从而提高纠错能力，提升整个闪存的性能，同时对于主控也会产生深远影响，例如：将会改变闪存页块数据布局：页数据(2/4/8Kbytes)+冗余数据(12/24/48bytes)+ECC校验码；主控可以不需要设置ECC电路，可以将ECC作为单独一个芯片封装；或将ECC裸颗粒和闪存裸颗粒封装在一起，成为一颗芯片，这些都增加了闪存的设计灵活性。
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公开(公告)号：CN217157722U
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202221716653.6
申请日：2022-07-06
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开了一种固态硬盘主控芯片及固态硬盘，该固态硬盘主控芯片用于控制快闪存储器阵列，主控芯片包括：中央处理器以及闪存控制器，闪存控制器包括通信模块、闪存控制电路以及比对电路，中央处理器通过通信模块与闪存控制电路连接，通信模块与比对电路连接，比对电路与闪存控制电路连接，闪存控制电路与快闪存储器阵列连接。该主控芯片能够在快闪存储器阵列进行过全片擦除的情况下，能较准确地确定出快闪存储器阵列中的出厂坏块，使得固态硬盘主控芯片具有高可靠性的特点。
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公开(公告)号：CN215730881U
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202121311775.2
申请日：2021-06-11
IPC分类号： G11C16/34
摘要： 本申请提供一种比特单元和数据解析单元。在该比特单元中，两个反向器首尾相连构成闩锁结构、闩锁结构通过开关模块与数据传输线建立连接、开关模块受控于字线，从而可以实现数据的写入和读取；另外，由于反向器和开关模块均包括MOS管，并且有至少一个MOS管为FDSOI‑MOS管，所以使得该比特单元在实际运行过程中的漏电流得到减少，从而降低了漏电流对自身运行造成的影响；还有，采用FDSOI‑MOS管后，由于FDSOI‑MOS管具有极小的阈值电压的变化性，即具有更好的阈值电压的均匀性，进而有利于与该比特单元相对应的数字集成电路的时序收敛。
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公开(公告)号：CN213400573U
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202022347008.9
申请日：2020-10-20
申请人： 芯天下技术股份有限公司
摘要： 本实用新型提供一种克服擦除干扰的电路及芯片，包括软电压产生电路，所述软电压产生电路由芯片内部的电荷泵实现供电；本技术方案通过使用芯片内部的电荷泵对软电压产生电路实现供电，可以根据需要任意调节软电压产生电路的输出电压，以减弱擦除期间的擦除干扰，从而减少擦除时间。
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公开(公告)号：CN217405116U
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202221104576.9
申请日：2022-05-09
申请人： 全中半导体(深圳)有限公司
发明人： 阮健军
摘要： 本实用新型涉及存储器技术领域，具体是一种快速验证闪存写入擦除测试板，包括板体，所述板体的底部内壁上固定安装有底座，所述底座顶部外壁的一侧固定安装有固定台，所述板体顶部外壁靠近固定台的位置安装有折型杆，所述折型杆的顶部内壁上固定安装有温度传感器，所述折型杆顶部内壁靠近温度传感器的位置固定安装有烟雾传感器，所述板体的内壁靠近上方的位置安装有调节机构，所述板体的顶部外壁上设有加热机构，本实用新型利用电热鼓风机制造高温环境，通过温度传感器监测板体内部温度，通过烟雾传感器监测板体内是否有烟雾，如有异常超过预设值，则会引发警报灯报警，同时关闭电热鼓风机，提醒工作人员快速解决问题。
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公开(公告)号：CN206639593U
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201720255469.9
申请日：2017-03-15
申请人： 珠海格力电器股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种集成电路及芯片，集成电路包括：低电压检测逻辑电路和NVM控制器，在NVM控制器从NVM读取数据之前，低电压检测逻辑电路会首先从NVM的预烧区域读取预烧区域返回值，通过比较预烧区域返回值和预先烧写到预烧区域的目标预烧值是否相等，确定NVM的供电电压是否正常，并且只有在预烧区域返回值和目标预烧值相等时，即NVM的供电电压正常时，NVM控制器才会从NVM内读取数据。由此可知，本实用新型是在确定NVM的供电电压正常后，方可读取NVM内的数据，因此，能够有效保证读取NVM的数据的稳定性，避免因NVM的供电电压处于非正常状态所带来的读取数据不稳定的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205845518U
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201620418718.7
申请日：2016-05-10
申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种非易失性存储器，该非易失性存储器包括存储单元阵列、字线选择单元、位线选择单元、电压泵以及控制单元，其中，所述控制单元分别与所述存储单元阵列、字线选择单元、位线选择单元以及电压泵相连接，所述电压泵与所述存储单元阵列连接，还包括：温度监测器，所述温度监测器，与所述控制单元相连，用于监测非易失性存储器所处环境的温度，并向所述控制单元传输所处环境的温度信息。利用该非易失性存储器，实现了对非易失性存储器工作所需电压的实时调整，由此在不影响非易失性存储器工作准确性的同时缩短了工作时间，进而达到了提高非易失性存储器的稳定性和可靠性的目的。
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