本发明涉及一种可降低缺陷的硅烷法制区熔级多晶硅棒的生产工艺，包括以下步骤：首先，将露点≥-40℃的氢气充入热解炉反应器中；然后，开启电源，对反应器容器内的硅丝加载电流，利用电流使其产热并加热至略高于硅沉积温度，保持1-2h；释放氢气，并置换成高纯氢；将硅烷和高纯氢气混合，并注入至预热器；将经过预热器加热后的混合气注入至反应器容器内；混合气在进入反应器容器内部后，沿着中间立柱向上流动，并通过位于硅丝周围夹套上的进气孔进入至夹套中心，与夹套内的硅丝接触；最后，混合气与硅丝接触时，硅烷发生分解形成硅，均匀沉淀于硅丝上，以形成多晶硅棒；本发明具有使用效果好、确保硅棒表面洁净均匀且避免出现缺陷的优点。