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公开(公告)号：CN110644048B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201911117391.4
申请日：2019-11-14
申请人： 安徽中飞科技有限公司
IPC分类号： C30B28/14 , C30B29/36 , C23C16/455 , C23C16/32
摘要： 本发明提供了一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积方法及装置，属于化学气相沉积技术领域。本发明通过先将化学气相沉积室在2～4h内升温至400～500℃，保温4～6h，再在4～10h内升温至1100～1500℃，保温1～2h，再进行化学气相沉积，然后在30～55h内降温至700～800℃，保温4～6h，再在40～60h内降温至室温，确保得到的碳化硅产品完整，无开裂，纯度更高，表面更平整、更光滑，颗粒更小；通过将沉积腔室被设有孔洞的隔板分隔为化学气相沉积室和收尘室，化学气相沉积室的进气口和收尘室的出气口均位于孔洞的上方，使气流以Z字形方式在腔室内流动，延长其在腔室中的行走路径和停留时间，增加甲基三氯硅烷的分解度，提高成品率，同时减少甲基三氯硅烷进入后端出气管道，避免管道堵塞，保证生产顺利进行。
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公开(公告)号：CN118241309B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410666423.0
申请日：2024-05-28
申请人： 中电晶华(天津)半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种极厚膜硅外延片的制备方法，本发明通过综合设计硅外延片硅外延层所需的氢气流量、生长速率、生长温度等参数，避免了硅外延层厚度为200~230μm的极厚膜硅外延片发生裂片的技术问题，在工艺简单、可批量重复的情况下实现了直径150~200 mm，硅外延层厚度200~230μm的极厚膜硅外延片的制备，满足了超高压大功率器件的使用要求，适用于极厚膜硅外延片的工业批量化生产要求。
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公开(公告)号：CN118461130A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410261847.9
申请日：2024-03-07
申请人： 山东大学
摘要： 本发明公开了一种多晶复合碳化钽涂层及其制备方法，包括如下步骤：在洁净的基底上制备多孔碳化物涂层；将多孔碳化物涂层清洗、干燥后，在惰性气氛中，以氩气为载气，将无机钽盐、烷烃和氢气按摩尔比为2‑5：2‑5：1‑2混合后，进行CVI沉积，混合气体的压力为5‑100mbar，沉积温度为1000‑1800℃，沉积时间为10‑20h，即得。
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公开(公告)号：CN118422332A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410511835.7
申请日：2024-04-26
申请人： 天合光能股份有限公司
IPC分类号： C30B29/06 , C30B28/14 , H01L31/028 , H01L31/04
摘要： 本发明提供了一种掺杂多晶硅的制备方法、单晶硅的制备方法和太阳能电池，包括根据目标电阻率，确定掺杂元素的浓度；根据掺杂元素的浓度和掺杂多晶硅制备量，确定掺杂元素的平均量和含硅元素材料的第一用量；根据平均量和含掺杂元素材料的类型，确定含掺杂元素材料的第二用量；基于含硅元素材料的第一用量和含掺杂元素材料的第二用量，制备与目标电阻率对应的掺杂多晶硅。这样，由于所使用的含掺杂元素材料中已经将掺杂元素按照需求的平均量进行分布，得到的掺杂多晶硅中掺杂元素也相对均匀，从而在制备单晶硅时，不再需要进行母合金的投入，过程相对简单，且得到的熔融硅液中掺杂元素的均匀度较好，使得单晶硅电阻率分布更加均匀。
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公开(公告)号：CN118308704A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410502450.4
申请日：2024-04-25
申请人： 浙江求是半导体设备有限公司
摘要： 本发明公开了一种反应腔及沉积设备，涉及沉积设备技术领域。该反应腔包括腔侧壁、连通腔、侧通法兰和冷却结构，腔侧壁的两端分别设有第一法兰和第二法兰，连通腔设于腔侧壁的一侧并与反应腔连通，侧通法兰设于连通腔远离腔侧壁的一端。冷却结构包括进液口、出液口、第一冷却通道、第二冷却通道和冷却腔，进液口和出液口设于第一法兰；第一冷却通道设于侧通法兰，进液口通过第一连通管与第一冷却通道的进口连通。第二冷却通道设于第二法兰内，第一冷却通道的出口通过第二连通管与第二冷却通道的进口连通。冷却腔设于腔侧壁内，第二冷却通道的出口与冷却腔的进口连通，冷却腔的出口与出液口连通。
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公开(公告)号：CN118127623A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410550899.8
申请日：2024-05-07
申请人： 中电晶华(天津)半导体材料有限公司
IPC分类号： C30B25/18 , C30B25/16 , C30B28/14 , C30B29/06 , H01L21/02 , H01L29/16 , H01L29/78 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种VDMOS器件用重掺衬底N型硅外延片及其制备方法和应用，本发明设计250~300 L/min的大流量载气氢气吹扫反应腔体、1040~1060℃的较低硅外延层生长温度、2.1~2.2μm/min的高速生长厚层高阻硅外延层的方法，在大幅缩减热生长时间的同时，对反应腔体、石墨基座、硅衬底片等各类自掺杂效应现象进行充分抑制，从而实现在厚层高阻硅外延层生长过程中对电阻率均匀性的控制。
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公开(公告)号：CN114990526B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210613001.8
申请日：2022-06-01
申请人： 上海鑫华夏半导体设备有限公司 , 金甲锡
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/32 , C23C16/455 , C30B28/14 , C30B29/36
摘要： 本发明是关于装有气体注入模块单元的大容量化学气相沉积设备，形成了一个或多个气体注入模块单元和一个或多个气体排出部，并且在生长腔室内部安装了多种大小和形状的器材，气体排出部包含多个排气口的排气盒子，其上部以多数个排气口并附接到生长腔室的旋转轴，形成可旋转的旋转排气板的排气模组单元的大容量CVD设备，通过控制固定在排气盒子的一个以上的排气口和一个以上的旋转排气板的位相，对未反应的工艺气体及排气的排气位置、排气流动或排气量进行调节，并调节CVD生长腔室内的工艺气体的残留时间来制造均匀厚度及特性的多晶碳化硅厚膜或成形体为特征。
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公开(公告)号：CN116854096B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202310884159.3
申请日：2023-07-18
申请人： 上海韵申新能源科技有限公司
IPC分类号： C01B33/029 , C01B33/04 , C30B28/14 , C30B29/06
摘要： 本申请涉及多晶硅生产技术领域，具体公开了一种硅烷法生产高纯度多晶硅用反应器及其工艺。一种硅烷法生产高纯度多晶硅用反应器，包括反应器本体，反应器本体上设置有进气管和出气管，反应器本体周侧设置有对反应器本体进行冷却的第一冷却组件，反应器本体内设置有硅棒，反应器本体底部设置有对硅棒进行加热的加热组件，反应器本体内设置有对硅棒进行冷却的第二冷却组件，反应器本体内设置有位于硅棒和第二冷却组件上方的硅粉捕集器，硅粉捕集器包括冷却套管、第一进水管和第一出水管，第一进水管和第一出水管贯穿反应器顶部并与冷却套管连通。本申请中硅粉可粘附和积聚在硅粉捕集器中，减少硅粉粘附在反应器本体内壁，有利于提高多晶硅的质量。
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公开(公告)号：CN117947510A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410245681.1
申请日：2024-03-05
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种锑化镓多晶合成方法，包括以下步骤：称取锑与镓；放入石英管；放入合成炉；加热合成；逐渐冷却；取出锑化镓多晶。通过本合成方法，能合成高质量锑化镓多晶，利用合成的锑化镓多晶进行单晶生长，可以有效的解决用高纯锑单质和镓单质直接生长锑化镓单晶存在的配比失衡及有Ga2O3残渣生成等问题，有效提高锑化镓单晶生长的质量。
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公开(公告)号：CN117702274B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410161454.0
申请日：2024-02-05
申请人： 浙江康鹏半导体有限公司
摘要： 本发明提供一种磷化铟晶体的生长工艺，包括以下步骤：利用异形石英管合成磷化铟晶体，在单晶炉内预装生长原材料，对单晶炉排气处理，升华红磷，磷化铟晶体融化，晶体生长以及晶体冷却的过程，通过异形石英管完成磷化铟多晶的合成，再配合温度压力的控制实现磷化铟晶体的生长，以在磷化铟晶体的生长全过程中保证加工工艺的顺利进行，提升磷化铟单晶生长过程的稳定性。
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