本发明涉及一种短时发热的大功率器件封装结构及方法，属于半导体封装技术领域，该封装结构包括大功率器件和封装壳体，所述封装壳体分为壳体上层和壳体下层，所述壳体上层为一封闭的空腔，所述大功率器件通过绝缘基板装在空腔底部，所述大功率器件的引线从壳体上层侧壁引出，所述壳体下层为一金属实体，在所述金属实体内设置有多个空心腔室，所述空心腔室内填充有相变材料。采用该封装结构的大功率器件无需再安装在靠近热沉的结构件上，其本身运行时，相变材料可以吸收短时间内大功率运行产生的热量，使元器件温度工作在安全的范围内，待机时，相变材料的热量通过印制板或很小的导热结构件散去，相变材料由液态转换到固态，满足下一次运行的条件。