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公开(公告)号:CN118073287A
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202410191627.3
申请日:2024-02-21
申请人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
IPC分类号: H01L23/053 , H01Q17/00 , H01L23/057 , H01L23/66
摘要: 本发明涉及微波封装技术领域,具体公开了一种基于平面吸波结构的陶瓷封装结构,包括陶瓷底板、设置在陶瓷底板上且形成安装腔的金属围框、以及设置金属围框上且靠近金属围框一侧设置有平面吸波结构的盖板;所述平面吸波结构位于安装腔的正上方。本发明通过在盖板的下表面引入平面吸波结构来取代吸波材料,能够有效降低表贴吸波材料引入的高度,并且避免封装时吸波材料熔化的风险;减少现有技术中金属隔腔的使用面积能有效降低封装内部的应力,进而降低封装开裂的风险;能够有效降低有源器件级联时自激或谐振风险,并且实现小型化。
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公开(公告)号:CN117672980A
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN202311749210.6
申请日:2023-12-18
申请人: 上海狮门半导体有限公司
IPC分类号: H01L23/16 , H01L23/053 , H01L23/367 , H01L23/15
摘要: 本申请提供了一种功率模块与电子设备,涉及半导体封装技术领域。该功率模块包括外壳、陶瓷基板、芯片、导热膏、散热片、支撑件以及固定件,芯片、陶瓷基板、导热膏以及散热片逐层设置,外壳盖设于陶瓷基板上,且外壳内设置有容置空间,芯片位于容置空间内;支撑件的两端分别与外壳的底部、散热片连接,以支撑外壳;固定件用于连接外壳与散热片,以固定外壳与散热片。由于本申请中通过设置支撑件的方式,将陶瓷基板与散热片之间连接实现支撑,使得锁附力不会直接作用于陶瓷基板上,而是作用于散热片,因此陶瓷基板不容易出现破裂的问题。
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公开(公告)号:CN110246807B
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN201910370869.8
申请日:2016-02-29
申请人: 意法半导体股份有限公司
IPC分类号: H01L23/053 , H01L23/24 , H01L23/36 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L23/492
摘要: 本公开涉及具有增强的热耗散的电子功率模块及其制造方法。一种包括容纳堆叠体(88)的壳体(22)的电子功率模块(20),其包括:DBC类型或类似的第一衬底(26);集成了具有一个或多个电传导端子的电子部件的裸片(27),被机械和热耦合至第一衬底的;和在第一衬底之上和在裸片之上延伸并且呈现出面对裸片的导电路径(32)的DBC类型或类似的第二衬底(29)。裸片通过烧结的热传导膏的第一耦合区域(30)被机械和热耦合至第一衬底;并且电子部件的一个或多个传导端子通过烧结的热传导膏的第二耦合区域(34)被机械、电和热耦合至第二衬底(29)的第一导电路径(32)。
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公开(公告)号:CN116686080A
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202180088362.9
申请日:2021-12-29
申请人: 德克萨斯仪器股份有限公司
发明人: S•K•科杜里
IPC分类号: H01L23/053
摘要: 一种半导体封装件,包括:基底绝缘层(102);半导体管芯(106),该半导体管芯附接到基底绝缘层(102)的一部分;以及第一连续引线(120),该第一连续引线电连接到半导体管芯。第一连续引线(120)包括位于基底绝缘层(102)的第一表面上的第一侧向延伸部(116)、位于基底绝缘层(102)的第二表面上的第二侧向延伸部(114)、以及位于第一侧向延伸部(116)与第二侧向延伸部(114)之间的连接部分(118)。连接部分(118)贯穿基底绝缘层(102)。
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公开(公告)号:CN115917730A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202280005087.4
申请日:2022-04-28
申请人: 爱玻索立克公司
IPC分类号: H01L23/04 , H01L23/02 , H01L23/053 , H01L23/043 , H01L23/08
摘要: 公开了一种封装基底,该封装基底包括:玻璃基底,该玻璃基底包括第一表面和第二表面,该第二表面是与该第一表面相反的表面;腔单元,该腔单元形成玻璃基底内部的空间;腔框架,该腔框架将空间划分为多个区域;以及腔元件,该腔元件被包括在腔单元的至少一部分中,其中,腔框架可以包括多个框架贯通孔,该框架贯通孔沿从一个侧部至另一侧部的方向贯穿。
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公开(公告)号:CN113345842B
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN202110425537.2
申请日:2021-04-20
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H01L23/04 , H01L23/053
摘要: 本发明提供了一种陶瓷四边扁平封装外壳及陶瓷四边扁平封装器件。陶瓷四边扁平封装外壳包括陶瓷壳体及多个引线,陶瓷壳体用于承载芯片,引线从所述陶瓷壳体的底部向四周引出,陶瓷壳体的底部还设有向下延伸的凸台,凸台的底部平面到引线的最低点的高度差为0~0.15mm。由于凸台的底部平面到引线的最低点的高度差为0~0.15mm,而现有封装外壳与PCB板的间隙为0.50~1.0mm左右,故陶瓷四边扁平封装外壳与PCB板的间隙减小,使得用于加固的胶层厚度变小,使得板级加固可靠,可以有效地减小了引线受力,从而避免引线变形或者损坏,以保证安装后器件具有较高的可靠性。
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公开(公告)号:CN114864509A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210362982.3
申请日:2022-04-08
申请人: 马帆
发明人: 马帆
IPC分类号: H01L23/053 , H01L21/52
摘要: 本发明公开了一种半导体芯片封装结构及其封装方法,涉及半导体芯片封装技术领域,解决了操作人员对上封装板和下封装板内部的半导体芯片进行拆卸和安装的操作流程十分缓慢的问题。一种半导体芯片封装结构及其封装方法,包括下封装板,所述下封装板的上端卡装设置有上封装板,所述下封装板上端的两侧均固定焊接有配合连接机构,两个所述配合连接机构的两侧均插装设置有插装固定机构,所述插装固定机构表面的前后两侧均配合设置有两个肋板。本发明通过在插装固定机构的两侧固定焊接卡接块,在卡接块一侧的上下两侧固定焊接弹性卡条,则整体的插装固定机构向一侧横向的活动,使得插装固定机构一侧横向一端的中间处可卡装在两个弹性卡条内。
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公开(公告)号:CN114664746A
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202210285646.3
申请日:2022-03-23
申请人: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC分类号: H01L23/053 , H01L23/13 , H01L23/10 , H01L21/50 , H01L21/52
摘要: 本发明提供了一种一体化三维集成系统级封装架构及其封装方法,属于系统级封装技术领域;其包括陶瓷基板、密闭围框、盖板以及BGA焊球,陶瓷基板分为上下两层,基板上面开粘接芯片的微腔,密闭围框焊接在下层陶瓷基板上面,盖板焊接在密闭围框上,陶瓷基板下面设置BGA焊盘,BGA焊球通过BGA焊盘焊接在陶瓷基板下面,上下两层陶瓷基板通过上层陶瓷基板焊接的BGA球进行互联焊接。本发明还提供集成架构的封装方法。本发明内部集成密度提升近一倍,对外互联接口及气密封装的体积占用率大大降低,同时具备结构简单、装配步骤少,是实现一体化三维集成系统级封装的有效方式。
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公开(公告)号:CN114050127A
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN202111129988.8
申请日:2021-09-26
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H01L23/053 , H01L21/48
摘要: 本发明提供了一种芯腔局部厚金封装外壳、封装器件及制备方法,属于陶瓷封装技术领域,包括具有芯腔的陶瓷件,芯腔的底部划分为至少一个芯片安装区和至少一个无源器件安装区;芯片安装区设有下沉腔,下沉腔的底部与无源器件安装区处于不同的水平面;其中,下沉腔内的为厚金区,无源器件安装区为薄金区;下沉腔的底部设有第一镀金层,无源器件安装区设有第二镀金层,第一镀金层的厚度大于第二镀金层的厚度。本发明采取了将厚金部位的键合指在陶瓷件垂直方向下沉,使其低于薄金部位,从而实现了同一陶瓷件内部不同区域不同镀层厚度的效果,满足低温焊料烧结和金丝键合的使用需求,并满足电流及功耗逐渐增大的电源类SIP产品高可靠性能的要求。
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公开(公告)号:CN111246701B
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN202010041602.7
申请日:2020-01-15
申请人: 成都芯正微电子科技有限公司
发明人: 王浩
IPC分类号: H05K7/02 , H05K7/12 , H01L23/053 , H01L23/04
摘要: 本发明涉及芯片防护领域,且公开了一种集成电路芯片的防护装置,包括箱体,箱体的内部是空心的,箱体的内部底面设置有集成电路芯片,集成电路芯片的前后作右四角处和左右两侧边的中间位置均开设有圆形的孔,位于集成电路芯片四角处圆形孔的上方均固定安装有螺丝,箱体的内部底面固定安装有支撑块,支撑块共有十二组,十二组支撑块以两组为一对分别均匀的在箱体的内部底面前后端设置三对支撑块,组成一对支撑块的两组支撑块相趋近的一端均开设有偏移槽。本发明中,通过分别设置三个独立的部分实现保护对集成电路芯片前后、左右和垂直方向受到冲击的效果,且三个独立的部分配合作用极大的提升了集成电路芯片的稳定性。
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