本发明公开了一种氧化物半导体材料、薄膜晶体管及制备方法和显示面板，该氧化物半导体材料包括：铟的氧化物In2O3和第五副族元素的氧化物MO组成的复合氧化物(In2O3)a(MO)b，其中，a+b＝1，0.10≤b≤0.50。本发明的技术方案，氧化物半导体中包括了铟的氧化物In2O3和第五副族元素的氧化物MO形成的复合金属氧化物，以解决现有氧化物半导体材料在背沟道刻蚀型薄膜晶体管的制造工艺中受到明显的制约、难以实现高性能器件的制备的技术问题。