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公开(公告)号：CN109888023B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201910227480.8
申请日：2019-03-25
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种顶栅型薄膜晶体管，所述顶栅型薄膜晶体管包括：衬底、氧化物修饰层、有源层、栅绝缘层、栅极、钝化层、源极和漏极；所述氧化物修饰层设置于所述有源层与所述栅绝缘层之间。氧化物修饰层可对顶栅型薄膜晶体管的性能进行调节，达到了提高稳定性的作用，同时还可将氧化物修饰层和有源层同时进行图形化，可不增加光刻次数，因而在不增加光刻成本的前提下提高了顶栅型薄膜晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN114530568A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210071138.5
申请日：2022-01-21
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种OLED发光模组及其制作方法和显示装置，OLED发光模组包括：衬底；第一电极层，所述第一电极层位于所述衬底的一侧，所述第一电极层具有透明性；透光缓冲层，所述透光缓冲层位于所述第一电极层远离所述衬底的一侧；第一透明导电层，所述第一透明导电层位于所述透光缓冲层远离所述第一电极层的一侧且与所述第一电极层连接。本发明实施例提供的OLED发光模组及其制作方法和显示装置，可以提高OLED的发光均匀性，也可以提高阴极或阳极的抗氧化性。
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公开(公告)号：CN111128048B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010092488.0
申请日：2020-02-14
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种显示面板以及显示装置，该显示面板包括：安装板；阵列排布的多个拼接单元位于安装板之上，拼接单元包括玻璃基板；发光线路层，位于玻璃基板正面，其中发光线路层包括多条信号线；电路板，位于玻璃基板与正面相对设置的背面，包括多层依次堆叠的信号走线层，以及位于相邻信号线路层之间的绝缘层，信号走线层通过贯穿绝缘层以及玻璃基板的第一导电过孔与对应设置的信号线电连接，玻璃基板在安装板上的正投影位于电路板在安装板上的正投影内。本发明实施例提供的技术方案，实现了一种无缝拼接的显示面板以及显示装置。
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公开(公告)号：CN109638070B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201811519359.4
申请日：2018-12-12
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L29/24 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/32
摘要： 本发明公开了一种氧化物半导体材料、薄膜晶体管及制备方法和显示面板，该氧化物半导体材料包括：铟的氧化物In2O3和第五副族元素的氧化物MO组成的复合氧化物(In2O3)a(MO)b，其中，a+b＝1，0.10≤b≤0.50。本发明的技术方案，氧化物半导体中包括了铟的氧化物In2O3和第五副族元素的氧化物MO形成的复合金属氧化物，以解决现有氧化物半导体材料在背沟道刻蚀型薄膜晶体管的制造工艺中受到明显的制约、难以实现高性能器件的制备的技术问题。
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公开(公告)号：CN111710711A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010746005.4
申请日：2020-07-29
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种杂化结构的显示面板的制备方法及显示面板。显示面板的制备方法包括：提供驱动背板，驱动背板包括蓝色子像素区、绿色子像素区和红色子像素区，其中，一蓝色子像素区、一绿色子像素区和一红色子像素区构成一像素单元所占区域，同一行像素单元所占区域中，不同像素单元所占区域中同颜色子像素区相邻设置；同一列像素单元所占区域中，不同像素单元区域中同颜色子像素区相邻设置；在驱动背板上形成LED电极、第一反射电极和第二反射电极；将蓝光LED芯片转移至驱动背板并将蓝光LED芯片与LED电极对应电连接；形成绿光有机发光器件和红光有机发光器件。本发明实施例提供的技术方案，提高了巨量转移LED芯片的转移节拍以及良率。
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公开(公告)号：CN110310972B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910805990.9
申请日：2019-08-29
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/30
摘要： 本发明实施例公开了一种光电探测器以及制备方法，包括：衬底；形成在衬底上的薄膜晶体管阵列；形成在薄膜晶体管阵列上的至少一个像素电极；形成在像素电极上的像素定义层，像素定义层中形成有至少一个开口，暴露出像素电极，像素定义层在垂直于衬底所在平面方向上的尺寸，大于像素电极暴露部分在平行于衬底所在平面方向上的尺寸；形成在像素定义层中的光电探测器件层，位于开口内；形成在光电探测器件层上的顶电极。本发明实施例的技术方案通过在像素定义层设置高深比的比值大于1的“深井型结构”的开口，将光电探测器件层形成在像素定义层的开口内，使得照射到光电探测单元之间的入射光不会产生光学串扰问题。
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公开(公告)号：CN110310972A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910805990.9
申请日：2019-08-29
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/30
摘要： 本发明实施例公开了一种光电探测器以及制备方法，包括：衬底；形成在衬底上的薄膜晶体管阵列；形成在薄膜晶体管阵列上的至少一个像素电极；形成在像素电极上的像素定义层，像素定义层上形成有至少一个开口，暴露出像素电极，像素定义层在垂直于衬底所在平面方向上的尺寸，大于像素电极暴露部分在平行于衬底所在平面方向上的尺寸；形成在像素定义层上的光电探测器件层，位于开口内；形成在光电探测器件层上的顶电极。本发明实施例的技术方案通过在像素定义层设置高深比的比值大于1的“深井型结构”的开口，将光电探测器件层形成在像素定义层的开口内，使得照射到光电探测单元之间的入射光不会产生光学串扰问题。
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公开(公告)号：CN107359283A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710585983.3
申请日：2017-07-18
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3211
摘要： 本发明公开了阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置，阵列基板包括多个像素单元，像素单元包括沿行方向交替排布第一类像素单元和第二类像素单元，第一类像素单元和第二类像素单元包括第一子像素单元、第二子像素单元和第三子像素单元，沿行方向顺序排布的相邻第一类像素单元和第二类像素单元的第一子像素单元相邻设置，方法包括：采用第一掩膜板形成第一功能层；采用第二掩膜板在第一功能层上的第一子像素单元和第二子像素单元中形成第二功能层；采用第三掩膜板在第一功能层上的第一子像素单元中形成第三功能层；采用第四掩膜板形成覆盖全部像素单元的第四功能层。本发明降低了精密蒸镀掩膜板的加工精度，降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN106887274A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710178564.8
申请日：2017-03-23
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种柔性透明导电薄膜及其制备方法，该制备方法包括：提供一柔性衬底；在柔性衬底上形成纳米材料导电层；在纳米材料导电层上形成无机保护层，无机保护层的组成材料为至少一种宽禁带无机材料，宽禁带无机材料的禁带宽度大于或等于3eV。本发明实施例中无机保护层覆盖在纳米材料导电层上，能够阻隔水氧以保护纳米材料导电层，也能够有效改善纳米材料导电层的稳定性和耐高温性，进而实现柔性透明导电薄膜的高稳定性和优异的耐温性能；而禁带宽度在3eV及以上的无机材料在可见光区域基本无吸收，因此形成的无机保护层也不会导致纳米材料导电层的透过率在可见光范围内(特别是在380‑500nm波段)发生明显的衰减。
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公开(公告)号：CN105023761A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510403343.7
申请日：2015-07-11
申请人： 广州新视界光电科技有限公司
摘要： 一种用于能量存储器件的纳米结构电极及具有该电极的赝电容，纳米结构电极具有互导互联的金属纳米结构的引出电极，引出电极表面包覆有活性层。还设置有修饰层，修饰层设置于引出电极表面与活性层之间。引出电极为直径5 nm~500 nm、长度大于5 um金属纳米线。活性层的厚度设置为1 nm~1000 nm，活性层由一层或者多层子活性层叠设而成，子活性层的材料为过渡金属氧化物、导电聚合物或者复合赝电容材料中的任意一种。修饰层由一层或者多层子修饰层叠设而成，子修饰层的材料为金属氧化物、金属氮化物或者金属氟化物。该纳米结构电极具有表面积大的特点，使用该这种结构纳米结构电极的赝电容容量大。
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