Invention Publication
- Patent Title: 铜碳硅复合负极片的制备方法及其应用
- Patent Title (English): Preparation method and application of copper carbon silicon composite negative electrode plate
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Application No.: CN201811442520.2Application Date: 2018-11-29
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Publication No.: CN109638224APublication Date: 2019-04-16
- Inventor: 赵胤超 , 刘晨光 , 宋皓伟 , 易若玮 , 杨莉 , 赵策洲
- Applicant: 西交利物浦大学
- Applicant Address: 江苏省苏州市工业园区独墅湖科教创新区仁爱路111号
- Assignee: 西交利物浦大学
- Current Assignee: 西交利物浦大学
- Current Assignee Address: 江苏省苏州市工业园区独墅湖科教创新区仁爱路111号
- Agency: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- Agent 范晴
- Main IPC: H01M4/1395
- IPC: H01M4/1395 ; H01M4/66 ; H01M10/0525

Abstract:
一种电化学能源技术领域铜碳硅复合负极片的制备方法及其应用,将铜纳米线和碳纳米管的混合溶液旋涂在铜箔上,制得多孔集流体,将多孔集流体干燥后再采用PECVD法在表面沉积硅薄膜,制成铜碳硅复合负极片。本发明采用铜纳米线和碳纳米管复合而成的多孔集流体,并复合硅薄膜,增强了锂离子在负极的迁移效率,减缓了硅在膨胀时产生的巨大应力,具有能量密度高,循环性能好等特点。
Public/Granted literature
- CN109638224B 铜碳硅复合负极片的制备方法及其应用 Public/Granted day:2021-12-31
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