公开(公告)号：CN109638224A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811442520.2

申请日：2018-11-29

Applicant: 西交利物浦大学

Inventor： 赵胤超 ,  刘晨光 ,  宋皓伟 ,  易若玮 ,  杨莉 ,  赵策洲

IPC: H01M4/1395 ,  H01M4/66 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/1395 ,  H01M4/661 ,  H01M4/663 ,  H01M4/666 ,  H01M4/667 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027

Abstract: 一种电化学能源技术领域铜碳硅复合负极片的制备方法及其应用，将铜纳米线和碳纳米管的混合溶液旋涂在铜箔上，制得多孔集流体，将多孔集流体干燥后再采用PECVD法在表面沉积硅薄膜，制成铜碳硅复合负极片。本发明采用铜纳米线和碳纳米管复合而成的多孔集流体，并复合硅薄膜，增强了锂离子在负极的迁移效率，减缓了硅在膨胀时产生的巨大应力，具有能量密度高，循环性能好等特点。

公开(公告)号：CN109638224B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201811442520.2

申请日：2018-11-29

Applicant: 西交利物浦大学

Inventor： 赵胤超 ,  刘晨光 ,  宋皓伟 ,  易若玮 ,  杨莉 ,  赵策洲

IPC: H01M4/1395 ,  H01M4/66 ,  H01M10/0525

Abstract: 一种电化学能源技术领域铜碳硅复合负极片的制备方法及其应用，将铜纳米线和碳纳米管的混合溶液旋涂在铜箔上，制得多孔集流体，将多孔集流体干燥后再采用PECVD法在表面沉积硅薄膜，制成铜碳硅复合负极片。本发明采用铜纳米线和碳纳米管复合而成的多孔集流体，并复合硅薄膜，增强了锂离子在负极的迁移效率，减缓了硅在膨胀时产生的巨大应力，具有能量密度高，循环性能好等特点。