发明公开
- 专利标题: 具有高功率密度的封装射频功率放大器
- 专利标题(英): PACKAGED RF POWER AMPLIFIER HAVING A HIGH POWER DENSITY
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申请号: CN201780052046.X申请日: 2017-08-23
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公开(公告)号: CN109643976A公开(公告)日: 2019-04-16
- 发明人: 约翰内斯·A·M·德波特 , 诸毅 , 尤里·沃洛凯恩 , 维特里奥·库柯 , 阿尔贝图斯·G·W·P·范佐耶伦 , 约尔丹·康斯坦丁诺夫·斯蒂什塔洛夫 , 约瑟夫斯·H·B·范德赞登
- 申请人: 安普林荷兰有限公司
- 申请人地址: 荷兰奈梅亨市
- 专利权人: 安普林荷兰有限公司
- 当前专利权人: 安普林荷兰有限公司
- 当前专利权人地址: 荷兰奈梅亨市
- 代理机构: 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理商 徐川; 姚开丽
- 优先权: 2017349 2016.08.23 NL
- 国际申请: PCT/NL2017/050550 2017.08.23
- 国际公布: WO2018/038606 EN 2018.03.01
- 进入国家日期: 2019-02-25
- 主分类号: H03F3/195
- IPC分类号: H03F3/195 ; H03F1/56 ; H03F1/02 ; H01L23/66
摘要:
本发明涉及一种封装射频功率放大器。本发明还涉及一种包括该封装射频功率放大器的用于移动通信的蜂窝基站。根据本发明的封装RF功率放大器包括被耦接到射频功率晶体管的输出端的输出网络,其中,该输出网络包括在晶体管的输出端和封装的输出引线之间沿第一方向延伸的多个第一键合线、在射频功率晶体管的输出端和地之间串联连接的第二电感器和第一电容器、以及串联连接在地与第二电感器和第一电容器之间的结点之间的第三电感器和第二电容器。根据本发明,第一和第二电容器被集成在单个无源管芯上,并且第三电感器包括串联连接的第一部件和第二部件,其中,第一部件至少部分地沿第一方向延伸,并且第二部件至少部分地沿与第一方向相反的方向延伸。替代地,第三电感器基本上垂直于第一方向延伸。
公开/授权文献
- CN109643976B 具有高功率密度的封装射频功率放大器 公开/授权日:2023-05-26
IPC分类: