Invention Grant
- Patent Title: 一种等几何材料密度场结构拓扑优化方法
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Application No.: CN201811348566.8Application Date: 2018-11-13
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Publication No.: CN109670200BPublication Date: 2022-04-22
- Inventor: 高亮 , 许洁 , 高杰 , 李好 , 肖蜜 , 李培根
- Applicant: 华中科技大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee: 华中科技大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- Agency: 华中科技大学专利中心
- Agent 梁鹏; 曹葆青
- Main IPC: G06F30/23
- IPC: G06F30/23

Abstract:
本发明属于结构优化技术领域,并公开了一种等几何材料密度场结构拓扑优化方法。包括:(a)给定设计域作为待优化对象,构建与设计域对应的NURBS曲面;(b)计算NURBS曲面的等几何材料密度分布场,建立设计域的结构优化设计模型,使设计域在体积减小的同时仍满足结构刚度性能达到需求,定义设计模型获得设计域中各控制顶点对应的密度;(c)建立优化准则更新上述密度并使其收敛,由此获得所需的所述设计域中每个点对应的密度,从而实现等几何材料密度场结构拓扑优化。通过本发明,有效地实现结构优化设计,消除拓扑优化设计中常见的棋盘格问题、网格依赖和孤岛现象等数值不稳定问题,使拓扑优化的结构更加光滑,提高优化求解效率。
Public/Granted literature
- CN109670200A 一种等几何材料密度场结构拓扑优化方法 Public/Granted day:2019-04-23
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