发明公开
CN109686903A 一种活性材料修饰隔膜及其制备方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 一种活性材料修饰隔膜及其制备方法
- 专利标题(英): Active material modified diaphragm and preparation method thereof
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申请号: CN201811500349.6申请日: 2018-12-07
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公开(公告)号: CN109686903A公开(公告)日: 2019-04-26
- 发明人: 裴海娟 , 李永 , 郭瑞 , 刘雯 , 王勇 , 张亚莉 , 方聪聪 , 解晶莹
- 申请人: 上海空间电源研究所
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路2965号
- 专利权人: 上海空间电源研究所
- 当前专利权人: 上海空间电源研究所
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路2965号
- 代理机构: 上海航天局专利中心
- 代理商 余岢
- 主分类号: H01M2/14
- IPC分类号: H01M2/14 ; H01M2/16
摘要:
本发明公开了一种活性材料修饰隔膜及其制备方法,该隔膜包括:具有绝缘及支撑作用的基膜层、可同锂枝晶反应的活性物质层。所述基膜为聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚偏氟乙烯膜、聚偏氟乙烯-六氟丙烯膜、聚酰亚胺膜、聚酰胺膜、聚四氟乙烯膜、聚炳烯酸酯类膜、聚氯乙烯膜、聚环氧乙烯膜、玻璃纤维膜、纤维素膜、无纺布膜中的一种或多种复合膜。所述活性物质层的制备方法是将活性物质同粘结剂制成混合浆料,然后沉积到基膜上。所述沉积方法是刮涂、转移涂、喷涂、磁控溅射、粒子束溅射、原子层沉积、电子束蒸镀、脉冲激光沉积、气相沉积。所述活性物质层至少沉积于隔膜一侧。