薄膜晶体管、传感器、检测方法、检测装置及检测系统
摘要:
本公开提供了一种薄膜晶体管、传感器、检测方法、检测装置及检测系统,其中,该薄膜晶体管包括:第一绝缘层、栅极、有源层、源极组件和漏极组件,第一绝缘层包括相对设置的第一面和第二面;栅极设置在第一绝缘层的第一面上;有源层设置在第一绝缘层的第二面上,有源层用于与待检测体内的铜离子反应;源极组件和漏极组件均设置在第一绝缘层的第二面上且分别位于有源层相对的两侧;该传感器包括电源、信号生成模块及如上的薄膜晶体管,电源分别与信号生成模块和薄膜晶体管连接;薄膜晶体管,用于与待检测体内的铜离子反应并生成检测信号;信号生成模块,用于基于检测信号生成体外可识别的通讯消息。本发明实施例能够检测待检测体内的铜离子浓度。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
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