发明公开
- 专利标题： 一种用晶体硅的金刚线切割废料制备纳米碳化硅的方法
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申请号： CN201910211038.6申请日： 2019-03-20
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公开(公告)号： CN109734098A公开(公告)日： 2019-05-10
- 发明人: 邢鹏飞 , 姜胜南 , 都兴红 , 李耘霆 , 王寅超 , 吕竟一 , 甘浩然
- 申请人： 东北大学
- 申请人地址： 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
- 专利权人： 东北大学
- 当前专利权人： 东北大学
- 当前专利权人地址： 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
- 代理机构： 大连理工大学专利中心
- 代理商 陈玲玉; 梅洪玉
- 主分类号： C01B32/984
- IPC分类号： C01B32/984 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开了一种用晶体硅的金刚线切割废料制备纳米碳化硅的方法，该方法直接向晶体硅金刚线切割废料掺入有机碳质还原剂，在常压条件下通过碳热还原，一步制备得到高附加值的纳米碳化硅。本发明不仅对晶体硅金刚线切割废料的利用率高，生产成本低，节约了能源，而且生产的纳米碳化硅纯度高、粒度均匀且比表面积大。
