本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。在石墨烯层上层叠Mg3N2纳米晶层，Mg3N2纳米晶层中的多个Mg3N2纳米晶的表面势能点较低且化学活性较高，可作为GaN形核层的成核点，GaN形核层更容易在Mg3N2纳米晶上生长，保证GaN形核层可在石墨烯层上均匀地形成多个岛状结构。继续生长未掺杂GaN层时，岛状结构会吸引更多的Ga原子与N原子来继续生长。各岛状结构之间的距离合适，原子的迁移与扩散也相对较少，因此减少了岛状结构上的原子在移动扩散过程中导致的晶格畸变与缺陷，提高了未掺杂GaN层的晶体质量。