发明授权
- 专利标题: 单电子晶体管
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申请号: CN201680089487.2申请日: 2016-09-24
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公开(公告)号: CN109791944B公开(公告)日: 2022-09-13
- 发明人: H.C.乔治
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 郑瑾彤; 申屠伟进
- 国际申请: PCT/US2016/053606 2016.09.24
- 国际公布: WO2018/057015 EN 2018.03.29
- 进入国家日期: 2019-03-22
- 主分类号: H01L29/76
- IPC分类号: H01L29/76 ; H01L29/66 ; H01L29/792 ; B82Y10/00
摘要:
本文公开了单电子晶体管(SET)器件以及相关方法和设备。在一些实施例中,一种SET器件可包括:第一和第二源极/漏极(S/D)电极,其被分别布置在第一绝缘支撑件的侧面上和第二绝缘支撑件的侧面上;岛,其被布置在第一和第二S/D电极之间并且延伸到第一和第二绝缘支撑件之间的区域中。在一些实施例中,一种SET器件可包括:第一和第二S/D电极,其被布置在基体上;岛,其被布置在第一和第二S/D电极之间的区域中;第一和第二电介质部分,其被分别布置在所述岛与第一和第二S/D电极之间;以及第三电介质部分,其被布置在所述基体和所述岛之间。
公开/授权文献
- CN109791944A 单电子晶体管 公开/授权日:2019-05-21
IPC分类: