- 专利标题: 基于逆高斯分布低值绝缘子红外检测温度阈值的判定方法
- 专利标题(英): Method for determining low-value insulator infrared detection temperature threshold based on inverse Gaussian distribution
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申请号: CN201910058501.8申请日: 2019-01-22
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公开(公告)号: CN109827662A公开(公告)日: 2019-05-31
- 发明人: 尹骏刚 , 陈高洋 , 马钢 , 姚建刚 , 沈静 , 刘艳
- 申请人: 江苏双汇电力发展股份有限公司 , 湖南大学
- 申请人地址: 江苏省扬州市江都区仙城北路928号
- 专利权人: 江苏双汇电力发展股份有限公司,湖南大学
- 当前专利权人: 江苏双汇电力发展股份有限公司,湖南大学
- 当前专利权人地址: 江苏省扬州市江都区仙城北路928号
- 代理机构: 扬州润中专利代理事务所
- 代理商 祝亚京
- 主分类号: G01J5/00
- IPC分类号: G01J5/00 ; G01R27/02 ; G06F17/15
摘要:
本发明提供了一种基于逆高斯分布低值绝缘子红外检测温度阈值的判定方法。包括步骤:选取低值绝缘子样本,低值温差处理,获取低值绝缘子样本的低值温差样本,对低值温差样本进行分布拟合,根据逆高斯分布函数,进行极大似然估计,获取低值绝缘子的平均温差分布;进行低值绝缘子红外检测漏检率和误检率分析,对低值绝缘子对应位置的正常绝缘子进行温差取值,于同一图表中绘制生成温度阈值-漏检率曲线和温度阈值-误检率曲线;低值绝缘子红外检测温差阈值的选取:温度阈值-漏检率曲线与温度阈值-误检率曲线之间的交点对应的温差阈值即为低值绝缘子红外检测温差阈值。采用本发明中的判定方法,提高了低值绝缘子红外检测过程中的准确率。
公开/授权文献
- CN109827662B 基于逆高斯分布低值绝缘子红外检测温度阈值的判定方法 公开/授权日:2020-08-04