本发明公开了一种每位多单元的NVM单元，其半导体基底，具有被沟槽隔离区域分开的第一、第二和第三OD区域，彼此平行并沿第一方向延伸，第一OD区域位于第二和第三OD区域之间。选择晶体管和字线晶体管设置在第一OD区域上。多个串联的浮置栅极晶体管设置在选择晶体管和字线晶体管之间，并设置在第一OD区域上。各浮置栅极晶体管包括第一浮置栅极延伸部，沿第二方向朝向第二OD区域延伸并与第二OD区域中的擦除栅极区域相邻。各浮置栅极晶体管包括第二浮置栅极延伸部，沿第二方向朝向第三OD区域延伸，电容耦合到第三OD区域中的控制栅极区域。