- 专利标题: 一种高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其制备方法
-
申请号: CN201910340981.7申请日: 2019-04-25
-
公开(公告)号: CN109867519B公开(公告)日: 2022-04-15
- 发明人: 赵学童 , 孙健杰 , 杨丽君 , 成立 , 郝建 , 廖瑞金
- 申请人: 重庆大学
- 申请人地址: 重庆市沙坪坝区正街174号
- 专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人地址: 重庆市沙坪坝区正街174号
- 代理机构: 重庆晟轩知识产权代理事务所
- 代理商 王海凤
- 主分类号: C04B35/453
- IPC分类号: C04B35/453 ; C04B35/645
摘要:
本发明涉及一种高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其制备方法,该制备方法S1按照ZnO、Bi2O3、CoO和Mn2O3摩尔百分比为95‑99.5,0.1‑2,0.1‑2,0.1‑2进行混合后湿式球磨;S2湿式球磨24h后,将混合粉末在80oC烘干12h;S3滴加0.5‑3mol/L的醋酸,在研钵中进行研磨混合后装入金属模具中加压,同时对金属模具加温,在250oC‑350oC,烧结1‑3h,自然冷却,得到高电位梯度ZnO压敏陶瓷。采用冷烧结制备ZnO压敏陶瓷,烧结温度大幅的下降,更加的节能环保,得到的ZnO压敏陶瓷电位梯度高达3000V/mm以上,为传统ZnO压敏陶瓷的10倍左右。
公开/授权文献
- CN109867519A 一种高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其制备方法 公开/授权日:2019-06-11
IPC分类: