发明公开
- 专利标题: 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
- 专利标题(英): Thin film transistor and preparation method thereof, array substrate and display device
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申请号: CN201910146467.X申请日: 2019-02-27
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公开(公告)号: CN109888021A公开(公告)日: 2019-06-14
- 发明人: 郭雄 , 左丞 , 党康鹏 , 陈宏 , 金钟 , 秦鹏 , 饶杨 , 王博 , 罗仲丽 , 刘腾 , 唐元生 , 黄世飞
- 申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 重庆京东方光电科技有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,重庆京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人: 京东方科技集团股份有限公司,重庆京东方光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区酒仙桥路10号
- 代理机构: 北京中博世达专利商标代理有限公司
- 代理商 申健
- 主分类号: H01L29/786
- IPC分类号: H01L29/786 ; H01L21/336 ; H01L27/12 ; H01L27/32 ; G02F1/1368
摘要:
本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置,涉及显示技术领域,可解决有源层的制备工序繁琐的问题。在衬底上形成有源层包括:在衬底上形成半导体图案,半导体图案包括沟道区;在半导体图案上形成阻挡层;以第一角度对半导体图案进行第一次离子注入,在沟道区的第一侧和第二侧分别形成第一掺杂区;以第二角度对半导体图案进行第二次离子注入,在沟道区的第一侧形成第二掺杂区;以第三角度对半导体图案进行第二次离子注入,在沟道区的第二侧形成第二掺杂区;第一次离子注入的离子浓度大于第二次离子注入的离子浓度,第一角度、第二角度和第三角度均为离子束与衬底的夹角,第二角度和第三角度均小于第一角度。
IPC分类: