本发明提供了一种光刻方法，包括：提供一衬底；在衬底上形成表面光刻层，表面光刻层包括具有第一特征尺寸的光刻图案；在光刻图案的侧壁表面覆盖尺寸微缩覆盖物，表面光刻层和尺寸微缩覆盖物组合成具有第二特征尺寸的微缩图案；按照第二特征尺寸刻蚀衬底；其中，微缩图案用于遮护衬底的上表面中不用于刻蚀图案的表面，第二特征尺寸小于第一特征尺寸且对准在第一特征尺寸中。按照微缩图案中的第二特征尺寸刻蚀衬底，使得光刻的曝光极限进一步缩小，提高特征尺寸的精确度，进而缩小动态随机存取存储器的特征尺寸，同时降低制程成本，缩短制程时间。本发明还提供了一种特征尺寸微缩结构，具有上述技术效果。