- 专利标题: 一种高电位梯度、低介电损耗CaCu3Ti4O12压敏陶瓷及其制备方法
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申请号: CN201910340129.X申请日: 2019-04-25
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公开(公告)号: CN109912305B公开(公告)日: 2022-03-04
- 发明人: 赵学童 , 许超 , 杨丽君 , 成立 , 郝建 , 廖瑞金
- 申请人: 重庆大学
- 申请人地址: 重庆市沙坪坝区正街174号
- 专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人地址: 重庆市沙坪坝区正街174号
- 代理机构: 重庆晟轩知识产权代理事务所
- 代理商 王海凤
- 主分类号: C04B35/465
- IPC分类号: C04B35/465
摘要:
本发明涉及一种高电位梯度、低介电损耗CaCu3Ti4O12压敏陶瓷及其制备方法,该方法将CaCO3、CuO、TiO2、ZnO和Al2O3按照摩尔比例为1:3:4:0‑5%:0‑5%进行混合;然后湿式球磨12h后,将混合粉末在80oC烘干12h;取混料装入石墨模具,置于放电等离子烧结炉中进行750oC烧结10min;烧结得到的试样放置于马弗炉中进行1000oC退火处理3h,自然冷却得到目标压敏陶瓷。该方法采用放电等离子烧结技术制备压敏陶瓷,烧结温度和保温时间大幅下降,更加的节能环保,得到的CaCu3Ti4O12压敏陶瓷电位梯度高达1200 V/mm以上,且1kHz下介电损耗降低至0.02左右。
公开/授权文献
- CN109912305A 一种高电位梯度、低介电损耗CaCu3Ti4O12压敏陶瓷及其制备方法 公开/授权日:2019-06-21
IPC分类: