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发明公开
CN109920856A 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置 有权

薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置
摘要：
提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置。所述薄膜晶体管形成在基板上，它包括：设置在基板上的有源层，所述有源层具有源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区；设置在所述有源层的远离所述基板一侧的第一栅极；和设置在所述第一栅极的远离所述基板一侧的第二栅极，其中，所述第一栅极的厚度小于所述第二栅极的厚度。
摘要（英）：

The invention provides a thin-film transistor and a manufacturing method thereof, an array substrate and a display device. The thin-film transistor is formed on the substrate, and comprises an activelayer arranged on the substrate, wherein the active layer comprises a source area, a drain area, and a channel area located between the source area and the drain area; a first grid arranged at one side, far away from the substrate, of the active layer; and a second grid arranged at one side, far away from the substrate, of the first grid, wherein the thickness of the first grid is less than that of the second grid.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786 ......薄膜晶体管
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