发明公开
- 专利标题: 量子点发光层及其制备方法和应用
- 专利标题(英): Quantum dot light emitting layer and preparation method and application thereof
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申请号: CN201711375123.3申请日: 2017-12-15
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公开(公告)号: CN109935724A公开(公告)日: 2019-06-25
- 发明人: 曹蔚然 , 梁柱荣 , 杨一行 , 向超宇 , 钱磊
- 申请人: TCL集团股份有限公司
- 申请人地址: 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
- 专利权人: TCL集团股份有限公司
- 当前专利权人: TCL科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
- 代理机构: 深圳中一专利商标事务所
- 代理商 左光明
- 主分类号: H01L51/50
- IPC分类号: H01L51/50 ; H01L51/54 ; H01L51/56
摘要:
本发明公开了一种量子点发光层及其制备方法和应用。本发明量子点发光层包括量子点,所述量子点结合有有机配体,所述有机配体为X1-R1-C≡C-C≡C-R2、X2-M-R3、X3-R4-CH2-CH2-R5中的至少一种,所述X1、X2和X3与量子点表面结合,且至少在所述量子点发光层表层的所述有机配体通过所含的-C≡C-C≡C-、-M-或-CH2-CH2-中的至少一种基团交联;其中,所述X1、X2和X3为与量子点表面结合的基团,所述R1、R2、R3、R4、R5独立选自具有共轭或非共轭基团的烃基或烃基衍生物,M为芳基。本发明量子点发光层结构质量稳定和发光性能稳定。
公开/授权文献
- CN109935724B 量子点发光层及其制备方法和应用 公开/授权日:2020-07-14
IPC分类: