- 专利标题: 一种MoO2/MoS2复合电极材料及其制备方法
-
申请号: CN201910280870.1申请日: 2019-04-09
-
公开(公告)号: CN109950509B公开(公告)日: 2021-08-20
- 发明人: 王又容 , 程四清 , 高新蕾
- 申请人: 武汉轻工大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市汉口常青花园学府南路68号
- 专利权人: 武汉轻工大学
- 当前专利权人: 合肥龙智机电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市汉口常青花园学府南路68号
- 代理机构: 北京思创大成知识产权代理有限公司
- 代理商 高爽
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; H01M4/485 ; H01M4/58 ; H01M10/0525
摘要:
本发明涉及一种MoO2/MoS2复合电极材料及其制备方法。该制备方法包括以下步骤:S1.将钼酸铵粉末和草酸粉末混合,然后将混合均匀的固体粉末进行煅烧,冷却后得到MoO3前驱体;S2.将所述MoO3前驱体和硫粉混合均匀,然后将混合均匀的固体粉末置于密闭反应釜中,在170~230℃条件下反应0.5‑100h,反应结束后冷却;其中,所述MoO3前驱体和所述硫粉的重量比为1:0.5‑5;S3.将步骤S2中冷却后的反应产物在惰性气体保护下升温至500‑800℃保温1‑3h,然后降温,得到MoS2/MoO2复合材料。本发明的方法操作简单,安全可靠,有利于工业化生产,并且所述复合材料中各组分含量可控。
公开/授权文献
- CN109950509A 一种MoO2/MoS2复合电极材料及其制备方法 公开/授权日:2019-06-28