发明公开
- 专利标题: 非易失性存储设备以及操作其的方法
- 专利标题(英): NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF THE SAME
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申请号: CN201811293761.5申请日: 2018-11-01
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公开(公告)号: CN110021311A公开(公告)日: 2019-07-16
- 发明人: 方真培 , 边大锡 , 金志秀
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张泓
- 优先权: 10-2018-0003446 2018.01.10 KR
- 主分类号: G11C7/10
- IPC分类号: G11C7/10
摘要:
一种非易失性存储设备包括:包含多个存储单元的存储单元阵列;用于执行多个读取操作并且存储读取操作的结果的页缓冲器,其中,读取操作中的每一个包括用于多个存储单元中的所选择的存储单元的至少一个读出操作;多读出管理器,用于确定多个读取操作中的每一个的读出操作的数量并且控制页缓冲器执行读取操作;以及数据识别器,用于基于读取操作的结果来识别所选择的存储单元的比特的数据状态,其中,多读出管理器确定用于读取操作当中的至少一个读取操作的读出操作的数量不同于用于读取操作当中的其他读取操作的读出操作的数量。