半导体器件及其制造方法

Invention Grant

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Patent Title: 半导体器件及其制造方法
Application No.: CN201910011917.4

Application Date: 2019-01-07
Publication No.: CN110021551B

Publication Date: 2023-11-28
Inventor: 尹灿植 , 金桐晤 , 李基硕 , 赵诚学 , 朴济民
Applicant: 三星电子株式会社
Applicant Address: 韩国京畿道
Assignee: 三星电子株式会社
Current Assignee: 三星电子株式会社
Current Assignee Address: 韩国京畿道
Agency: 北京市柳沈律师事务所
Agent 张波
Priority: 10-2018-0002384 2018.01.08 KR
Main IPC: H01L21/762
IPC: H01L21/762

Abstract:

一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围电路区域；单元绝缘图案，设置在衬底的单元区域中，限定单元有源区域；以及外围绝缘图案，设置在衬底的外围电路区域中，限定外围有源区域。外围绝缘图案包括具有第一宽度的第一外围绝缘图案和具有第二宽度的第二外围绝缘图案，第二宽度大于第一宽度。第一外围绝缘图案和第二外围绝缘图案中的至少一个的最上表面比单元绝缘图案的最上表面定位得更高。

Public/Granted literature

CN110021551A 半导体器件及其制造方法 Public/Granted day:2019-07-16

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/76	...组件间隔离区的制作
H01L21/762	....介电区