公开(公告)号：CN214505493U

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202120937988.X

申请日：2021-04-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔贤根 ,  金恩知 ,  文钟淏 ,  文泂烈 ,  俞瀚植 ,  李基硕 ,  郑承宰 ,  安泰炫 ,  韩相然 ,  黄有商

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11578

摘要： 提供了三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置可以包括：第一基底，包括位线连接区和字线连接区；单元阵列结构，位于第一基底上；第二基底，包括第一核心区和第二核心区，第一核心区与位线连接区叠置，第二核心区与字线连接区叠置；以及外围电路结构，位于第二基底上。因此，三维半导体存储器装置具有改善的可靠性和增大的集成密度。

公开(公告)号：CN215220720U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202121340577.9

申请日：2021-06-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 安志荣 ,  韩昇煜 ,  金成焕 ,  朴瑞龙 ,  李基硕 ,  崔允荣 ,  韩泰熙 ,  洪智硕

IPC分类号： H01L27/108

摘要： 提供了一种集成电路器件。该集成电路器件包括：衬底上的位线，该位线包括下导电层和上导电层；位线上的绝缘封盖图案；以及主绝缘间隔物，在位线的侧壁和绝缘封盖图案的侧壁上，该主绝缘间隔物包括向上导电层凸出的延伸部分。

公开(公告)号：CN110047814B

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN201910037891.0

申请日：2019-01-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 洪智硕 ,  李基硕 ,  朴济民 ,  黄有商

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

摘要： 一种半导体器件，包括：半导体衬底上的层间绝缘层、在层间绝缘层中的通路塞和通路塞上的布线线路，其中通路塞和布线线路彼此耦接并形成阶梯结构。半导体器件包括在层间绝缘层和通路塞之间的第一气隙区、以及在层间绝缘层和布线线路之间的第二气隙区。第一气隙区和第二气隙区彼此不竖直重叠。

公开(公告)号：CN118843321A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410025349.4

申请日：2024-01-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李基硕 ,  韩珍优 ,  林汉镇

IPC分类号： H10B53/30 ,  H10B53/20

摘要： 一种半导体器件包括：衬底；位线结构，位于所述衬底上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；沟道，接触所述位线结构的上表面并且在所述第一方向和所述第二方向上彼此间隔开；上栅极结构，在所述第二方向上延伸并且围绕沿所述第二方向设置的所述沟道，所述上栅极结构在所述第一方向上间隔开；以及电容器结构，所述电容器结构包括：第一电容器电极，分别位于所述沟道上；电介质层，位于所述第一电容器电极上，所述电介质层包括铁电材料或反铁电材料；第二电容器电极，位于所述电介质层上；以及电容器板电极，位于所述第二电容器电极上，所述电容器板电极均在所述第二方向上延伸并且在所述第一方向上彼此间隔开。

公开(公告)号：CN118829205A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410170910.8

申请日：2024-02-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴台镇 ,  金熙中 ,  朴相在 ,  李基硕 ,  李明东

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 提供了一种半导体存储器件，包括：衬底；基底绝缘膜，其位于衬底的上表面上；多个第一导电图案，其位于基底绝缘膜上并且彼此间隔开，其中，多个第一导电图案在第一方向上延伸；间隔物结构，其位于多个第一导电图案的每一个第一导电图案的侧表面上；阻挡金属膜，其位于间隔物结构的侧表面上，其中，阻挡金属膜延伸穿过基底绝缘膜以电连接到衬底；填充金属膜，其位于阻挡金属膜上，其中，填充金属膜填充多个第一导电图案中的相邻第一导电图案之间的空间的至少一部分；以及电容器结构，其位于填充金属膜上，其中，电容器结构电连接到填充金属膜。

公开(公告)号：CN118742030A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410208467.9

申请日：2024-02-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李基硕 ,  李泓浚 ,  崔贤根 ,  金根楠 ,  南仁哲 ,  刘宝元 ,  韩珍优

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体器件包括：下衬底；存储单元结构，包括：字线，在下衬底上；位线，设置在下衬底上并且与字线交叉；以及单元电容器，连接到下衬底；上衬底，具有与下衬底相邻的后侧以及与后侧相对的前侧；电路元件，设置在上衬底的前侧上，并且在竖直方向上与存储单元结构重叠；以及通孔，穿透上衬底，并且将存储单元结构和电路元件彼此电连接。

公开(公告)号：CN118742029A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410164971.3

申请日：2024-02-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 刘宝元 ,  朴硕汉 ,  李基硕 ,  崔贤根 ,  韩珍优

IPC分类号： H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

摘要： 一种具有改进的集成和电特性的半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：外围栅极结构；第一外围连接结构，其位于所述外围栅极结构上；数据存储图案，其位于所述第一外围连接结构上；有源图案，其包括在第一方向上彼此相反的第一表面和第二表面以及在第二方向上彼此相反的第一侧壁和第二侧壁，所述有源图案的第一表面连接到所述数据存储图案并面向基板；位线，其位于所述有源图案上、连接到所述有源图案的所述第二表面、并在所述第二方向上延伸；字线，其位于所述有源图案的第一侧壁上并在第三方向上延伸；第二外围连接结构，其连接到所述位线；以及连接焊盘，其连接到所述第二外围连接布线。

公开(公告)号：CN118678667A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410246255.X

申请日：2024-03-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴台镇 ,  金钟珉 ,  金熙中 ,  李基硕 ,  李明东

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源区域，在基底中由器件隔离膜限定；字线，在基底中沿第一水平方向延伸；位线，在基底上沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸；附加垫，设置在有源区域上；以及掩埋接触件，在附加垫上，其中，掩埋接触件通过附加垫电连接到有源区域，其中，附加垫包括在竖直方向上与字线叠置的第一表面和在竖直方向上与字线不叠置的第二表面，并且其中，第一表面在尖端处与第二表面相交。

公开(公告)号：CN118450700A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410142548.3

申请日：2024-01-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李基硕 ,  金根楠 ,  金熙中

IPC分类号： H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

摘要： 一种半导体器件包括：器件隔离部，在衬底上并限定沿第一方向和第二方向二维设置的有源区，有源区每个在第一方向上延伸；第一字线和第二字线，在第二方向上与有源区交叉并在第一方向上彼此相邻；第一杂质区，在第一字线和第二字线之间的有源区中；第二杂质区，在第一字线的一侧的有源区中并与第一杂质区间隔开；第一导电垫，与第一杂质区接触；第二导电垫，与第二杂质区接触；位线，在第一导电垫上并沿第一方向延伸；存储节点接触结构，在第二导电垫上；以及着落垫，在存储节点接触结构上。

公开(公告)号：CN118450699A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410095371.6

申请日：2024-01-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李基硕 ,  高承甫 ,  金钟珉 ,  金熙中 ,  朴相在 ,  朴台镇 ,  尹灿植 ,  李明东 ,  李泓浚 ,  姜玟州 ,  金根楠

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体器件包括：在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上布置的第一和第二有源图案，第一和第二有源图案中的每个包括在第一方向上彼此间隔开的第一和第二边缘部分；顺序提供在第一有源图案的第一边缘部分上的第一存储节点焊盘和第一存储节点接触；以及顺序提供在第二有源图案的第二边缘部分上的第二存储节点焊盘和第二存储节点接触。第一存储节点接触和第二存储节点接触中的每个包括金属材料。